Revista: | Revista mexicana de física |
Base de datos: | PERIÓDICA |
Número de sistema: | 000453947 |
ISSN: | 0035-001X |
Autores: | Urbano Altamirano, F1 Titov, O. Yu2 Gurevich, Yu. G1 |
Instituciones: | 1Instituto Politécnico Nacional, Centro de Investigación y de Estudios Avanzados, Ciudad de México. México 2Instituto Mexicano del Petróleo, Ciudad de México. México |
Año: | 2020 |
Periodo: | Sep-Oct |
Volumen: | 66 |
Número: | 5 |
Paginación: | 559-567 |
País: | México |
Idioma: | Español |
Tipo de documento: | Artículo |
Enfoque: | Analítico, teórico |
Resumen en español | En este artículo se analiza el comportamiento de los portadores de carga eléctrica (electrones y huecos) en un material semiconductor con contactos metálicos bajo la condición de equilibrio termodinámico. Se obtuvieron expresiones para las concentraciones de los electrones y huecos, así como para el Radio de Debye (r D ) tanto en el caso general bipolar, como para los casos particulares de materiales tipo n,p e intrínseco. Con base a las expresiones anteriores se analiza el caso cuando aparece el fenómeno de cuasineutralidad en un material semiconductor |
Resumen en inglés | This article analyzes the behavior of electric charge carriers (electrons and holes) in a semiconductor material with metal contacts under the thermodynamic equilibrium condition. Expressions were obtained for the concentrations of the electrons and holes, as well as for the Debye Radius (r D ) both in the general bipolar case, and in the particular cases of n,p and intrinsic type materials. Based on the previous expressions, the case is analyzed when the quasi-neutrality phenomenon appears in a semiconductor material |
Disciplinas: | Física y astronomía |
Palabras clave: | Electromagnetismo, Portadores de carga, Contacto metal-semiconductor, Cuasineutralidad |
Keyword: | Electromagnetism, Charge doolie, Metal-semiconductor contact, Quasi neutrality |
Texto completo: | Texto completo (Ver HTML) Texto completo (Ver PDF) |