Determinacion directa de la densidad relativa de estados en la banda prohibida en silicio amorfo hidrogenado mediante la tecnica de espectrometria de transitorios de niveles profundos
Document title: Determinacion directa de la densidad relativa de estados en la banda prohibida en silicio amorfo hidrogenado mediante la tecnica de espectrometria de transitorios de niveles profundos
Journal: Revista mexicana de física
Database: PERIÓDICA
System number: 000068122
ISSN: 0035-001X
Authors: 1
Institutions: 1Benemérita Universidad Autónoma de Puebla, Inst Ciencias, Dep Semiconductores, Puebla. México
Year:
Season: Nov
Volumen: 32
Number: 1
Pages: 67-85
Country: México
Document type: Artículo
Approach: Experimental
Disciplines: Física y astronomía
Keyword: Física atómica y molecular,
Silicio amorfo,
Hidrogenado,
DLTS,
Estados-densidad relativa
Keyword: Physics and astronomy,
Atomic and molecular physics,
Silicon-amorphous,
Hydrogenated,
Dlts,
States-relative density
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