Correlación entre la profundidad de la cola de banda y el potencial originado por las impurezas en semiconductores tipo n y ligeramente compensados
Document title: Correlación entre la profundidad de la cola de banda y el potencial originado por las impurezas en semiconductores tipo n y ligeramente compensados
Journal: Revista mexicana de física
Database: PERIÓDICA
System number: 000172665
ISSN: 0035-001X
Authors: 1
Institutions: 1Universidad del Zulia, Facultad de Ciencias, Maracaibo, Zulia. Venezuela
Year:
Season: Feb
Volumen: 47
Number: 1
Pages: 50-53
Country: México
Language: Español
Document type: Artículo
Approach: Analítico
Disciplines: Física y astronomía
Keyword: Física,
Física de materia condensada,
Correlación,
Colas de bandas,
Semiconductores compensados,
Potencial rms,
Impurezas
Keyword: Physics and astronomy,
Condensed matter physics,
Physics,
Correlation,
Band tails,
Compensated semiconductors,
Potential rms,
Impurities
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