| Journal: | Revista mexicana de física |
| Database: | PERIÓDICA |
| System number: | 000328378 |
| ISSN: | 0035-001X |
| Authors: | Power, C1 Molina, I1 Chacón, L1 González, J2 Jagui Pérez–Kuroki, A3 Chervin, J.C4 |
| Institutions: | 1Universidad de Los Andes, Centro de Estudios de Semiconductores, Mérida. Venezuela 2Universidad de Cantabria, Departamento de Ciencias de la Tierra y Fisica de la Materia Condensada, Santander. España 3Hiroshima University, Department of Developmental Technology, Kagamiyama, Hiroshima. Japón 4Universite Pierre et Marie Curie, Institut de Mineralogie et de Physique des Milieux Condenses, París. Francia |
| Year: | 2010 |
| Season: | Jun |
| Volumen: | 56 |
| Number: | 3 |
| Pages: | 217-222 |
| Country: | México |
| Language: | Español |
| Document type: | Artículo |
| Approach: | Experimental |
| Spanish abstract | En el presente estudio hemos medido el espectro de transmisión óptica normal no polarizado en el compuesto semiconductor laminar TlGaSe2, hasta la presión de 27.6 GPa. Nuestros resultados muestran que en el rango del visible existe la contribución de dos brechas de energía directas, que presentan una dependencia lineal con la presión. La transición débil EA, asignada a la brecha fundamental de energía, decrece hasta los 0.9 GPa con un coeficient lineal de –5.31 × l0–2 eVGPa–1 y la transición EB muestra un coeficient de –9.95 × 10–2 eVGPa–1 hasta 5.3 GPa (límite de presión en el espectro visible). Los resultados en el infrarrojo no muestran la presencia de la transición EA, dejando ver solamente el comportamiento de la segunda transición justo hasta la presión de metalización 24.6 GPa. En el rango de presión estudiado de 0.0 a 27.6 GPa, la transición EB muestra un comportamiento no lineal con la presión de coeficient cuadrático 1.83 × l0 –3 eVGPa –2 |
| English abstract | In this paper the spectrum of optical normal transmission not polarized of TlGaSe2 is measured as a function of pressure up to 27.6 GPa at room temperature. Our results show that in the range of the visible exist the contributions of two direct gaps of energy, which present a linear dependence with the pressure. The weak transition EA assigned to the fundamental gap of energy, decreases up to 1.5 GPa with a linear coefficien of –5.31 × l0 –2 eVGPa–1 and the transition EB shows a coefficien of –9.95 × 10–2 eVGPa–1 up to 5.3 GPa (limit of pressure in the visible spectrum). The results in the infrared do not show the presence of the transition EA allowing to see only the behavior of the second transition rightly up to the pressure of metallization 24.6 GPa. In the range of pressure studied from 0.0 to 27.6 GPa, the transition EB shows a not linear behavior with the pressure of quadratic coefficien 1.83 × l0 –3 eVGPa –2 |
| Disciplines: | Física y astronomía |
| Keyword: | Física, Física de materia condensada, Optica, Estado sólido, Semiconductores I–III–VI2, Propiedades ópticas, Infrarrojo, Alta presión |
| Keyword: | Physics and astronomy, Condensed matter physics, Optics, Physics, I–III–VI2 semiconductor, Optical properties, Infrared, High pressure |
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