El transistor con semiaislador superficial de polisilicio
Título del documento: El transistor con semiaislador superficial de polisilicio
Revista: Ingeniería electrónica, automática y comunicaciones
Base de datos: PERIÓDICA
Número de sistema: 000090213
ISSN: 0258-5944
Autores: 1
Instituciones: 1Instituto Superior Politécnico "José Antonio Echeverría", Fac Ingenieria Industrial, La Habana. Cuba
Año:
Periodo: Dic
Volumen: 5
Número: 4
Paginación: 555-561
País: Cuba
Tipo de documento: Artículo
Enfoque: Teórico, experimental
Disciplinas: Física y astronomía,
Ingeniería
Palabras clave: Física de materia condensada,
Ingeniería electrónica,
Transistores,
Polisilicio,
Semiaisladores
Keyword: Physics and astronomy,
Engineering,
Condensed matter physics,
Electronic engineering,
Transistors,
Polysilicon,
Seminsulators
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