Tecnologías epitaxiales de crecimiento de cristales semiconductores
Document title: Tecnologías epitaxiales de crecimiento de cristales semiconductores
Journal: Avance y perspectiva
Database: PERIÓDICA
System number: 000185640
ISSN: 0185-1411
Authors: 1
Institutions: 1Universidad Autónoma de San Luis Potosí, Instituto en Investigaciones y Comunicaciones Opticas, San Luis Potosí. México
Year:
Season: Ene-Feb
Volumen: 21
Pages: 21-31
Country: México
Language: Español
Document type: Artículo
Approach: Analítico
Disciplines: Física y astronomía
Keyword: Física de materia condensada,
Crecimiento de cristales,
Epitaxia,
Haces moleculares,
Semiconductores,
Fase gaseosa
Keyword: Physics and astronomy,
Condensed matter physics,
Crystal growth,
Epitaxy,
Molecular beams,
Semiconductors,
Gaseous phase
Document request
Note: The document is shipping cost.









Original documents can be consulted at the Departamento de Información y Servicios Documentales, located in the Annex to the General Directorate of Libraries (DGB), circuito de la Investigación Científica across from the Auditorium Nabor Carrillo, located between the Institutes of Physics and Astronomy. Ciudad Universitaria UNAM. Show map
For more information: Departamento de Información y Servicios Documentales, Tels. (5255) 5622-3960, 5622-3964. E-mail: sinfo@dgb.unam.mx . Monday to Friday from (8 to 16 hrs).