Estudio de películas delgadas de AlN depositadas mediante sputtering por magnetrón DC en modo reactivo: efecto de la presión en la textura
Título del documento: Estudio de películas delgadas de AlN depositadas mediante sputtering por magnetrón DC en modo reactivo: efecto de la presión en la textura
Revista: Anales AFA
Base de datos: PERIÓDICA
Número de sistema: 000398432
ISSN: 1850-1168
Autores: 1
2
1
1
2
1
Instituciones: 1Universite de Nantes, Institut des Materiaux Jean Rouxel, Nantes, Loire-Atlantique. Francia
2Consejo Nacional de Investigaciones Científicas y Técnicas, Instituto de Física Rosario, Rosario, Santa Fe. Argentina
Año:
Volumen: 26
Número: 4
Paginación: 190-194
País: Argentina
Idioma: Español
Tipo de documento: Artículo
Enfoque: Analítico
Resumen en español El nitruro de aluminio es un compuesto cerámico con multitud de aplicaciones tecnológicas en muchos campos, tales como la óptica, la electrónica y los dispositivos resonadores. La eficiencia del AlN es altamente dependiente de las condiciones experimentales de deposición. En este artículo se analiza el efecto de la presión de trabajo en el desarrollo de tensiones residuales en su estructura. Para ello, se depositaron películas delgadas de AlN mediante sputtering por magnetrón DC en modo reactivo con presión de trabajo variable (3-6 mTorr) sobre Si (100). Estas muestras se caracterizaron mediante medición de curvatura de la muestra, XRD (Difracción de Rayos X), HRTEM (Microscopía Electrónica de Transmisión de Alta Resolución) y SAED (Difracción de Electrones en Área Seleccionada). Los resultados muestran que la tensión residual depende del espesor de la película: compresiva a bajos valores, de tracción a altos valores. Además, la tensión residual es dependiente de la presión de trabajo, luego a más presión menos tensión residual, inhibiendo el desarrollo de la textura en el plano (00·2), vital para las aplicaciones tecnológicas
Resumen en inglés Aluminum nitride is a ceramic compound with many technological applications in several fields: optics, electronics and resonators. AlN performance is highly dependent on experimental conditions during film deposition. This paper focuses on the effect of working pressure on residual stress development. Thus, AlN thin films have been deposited with reactive DC magnetron sputtering technique under different working pressures (3- 6 mTorr) on Si (100) substrates. These samples were characterized by XRD (X-Ray Diffraction), HRTEM (High Resolution Transmission Electron Microscopy) and SAED (Selected Area Electron Diffraction) techniques. Results show that residual stress is dependent on film thickness: compressive at low thicknesses, tensile at high thicknesses. Moreover, residual stress changes with the working pressure and at high pressures this stress is reduced, hampering the (00·2) texture development, crucial in technological applications
Disciplinas: Física y astronomía,
Ingeniería
Palabras clave: Física,
Ingeniería de materiales,
Películas delgadas,
Nitruro de aluminio,
Pulverización catódica,
Microscopía electrónica
Keyword: Physics and astronomy,
Engineering,
Physics,
Materials engineering,
Thin films,
Aluminum nitride,
Sputtering,
Electronic microscopy
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