| Revista: | Superficies y vacío |
| Base de datos: | PERIÓDICA |
| Número de sistema: | 000404986 |
| ISSN: | 1665-3521 |
| Autores: | Pérez Ladrón de Guevara, H1 Navarro Contreras, H1 Vidal, M.A1 |
| Instituciones: | 1Universidad Autónoma de San Luis Potosí, Instituto de Investigación en Comunicación Optica, San Luis Potosí. México |
| Año: | 2003 |
| Periodo: | Dic |
| Volumen: | 16 |
| Número: | 4 |
| Paginación: | 22-24 |
| País: | México |
| Idioma: | Inglés |
| Tipo de documento: | Artículo |
| Enfoque: | Analítico |
| Resumen en inglés | Single phase Ge1-xSnx alloys have been grown on Ge(100) and GaAs(100) substrates using a R. F. Sputtering system. Using HRXRD on asymmetrical planes in plane and in growth lattice parameters are obtained. A residual strain due to the differences in the linear thermal expansion coefficient between the alloy and the substrates is observed |
| Disciplinas: | Física y astronomía, Ingeniería |
| Palabras clave: | Física de materia condensada, Ingeniería de materiales, Aleaciones, Germanio, Estaño, Pulverización catódica, Películas delgadas, Semiconductores |
| Keyword: | Physics and astronomy, Engineering, Condensed matter physics, Materials engineering, Alloys, Germanium, Tin, Sputtering, Thin films, Semiconductors |
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