| 2041.- |
Environment of Er in a-Si:H: co-sputtering versus ion implantation
Piamonteze, Cinthia1; Tessler, Leandro R; Alves, Martins M.C; Tolentino, H
1Universidade Estadual de Campinas, Instituto de Fisica "Gleb Wataghin", Campinas, Sao Paulo. Brasil; 2Laboratorio Nacional de Luz Sincrotron, Campinas, Sao Paulo. Brasil
[ Brazilian journal of physics, Brasil, 1999 Vol. 29 Num. 4 Dic, Pàg. 756-759]
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| 2042.- |
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| 2043.- |
Evolution of dynamic localization regimes in coupled minibands
Rivera, P.H1; Schulz, P.A2
1Universidade Federal de Sao Carlos, Departamento de Física, Sao Carlos, Sao Paulo. Brasil; 2Universidade Estadual de Campinas, Instituto de Fisica "Gleb Wataghin", Campinas, Sao Paulo. Brasil
[ Brazilian journal of physics, Brasil, 1999 Vol. 29 Num. 4 Dic, Pàg. 685-689]
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| 2044.- |
Experimental evidence for the distinction between metastability and persistence in optical and electronic properties of bulk GaAs and AlGaAs
Pinheiro, M.V.B1; Krambroc, K2
1Comissao Nacional de Energia Nuclear, Centro de Desenvolvimento da Tecnologia Nuclear, Belo Horizonte, Minas Gerais. Brasil; 2Universidade Federal de Minas Gerais, Instituto de Ciencias Exactas, Belo Horizonte, Minas Gerais. Brasil
[ Brazilian journal of physics, Brasil, 1999 Vol. 29 Num. 4 Dic, Pàg. 806-809]
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| 2045.- |
High magnetic field transport and photoluminescence in doped InGaAs/InP superlattices
Henriques, A.B1; Hanamoto, L.K; Oliveira, R.F; Souza, P.L; Goncalves, L.C.D; Yavich, B
1Universidade de Sao Paulo, Instituto de Física, Sao Paulo. Brasil; 2Pontificia Universidade Catolica do Rio de Janeiro, Centro de Estudos em Telecomunicacoes, Rio de Janeiro. Brasil
[ Brazilian journal of physics, Brasil, 1999 Vol. 29 Num. 4 Dic, Pàg. 707-710]
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| 2046.- |
High temperature behavior of subpicosecond electron transport transient in 3C- and 6H-SiC
Bezerra, E.F1; Caetano, E.W.S; Freire, V.N; Silva-Junior, E.F. da; Costa, J.A.P. da
1Universidade Federal do Ceara, Departamento de Física, Fortaleza, Ceara. Brasil; 2Universidade Federal de Pernambuco, Departamento de Física, Recife, Pernambuco. Brasil; 3Universidade Federal do Rio Grande do Norte, Departamento de Fisica Teorica e Experimental, Natal, Rio Grande do Norte. Brasil
[ Brazilian journal of physics, Brasil, 1999 Vol. 29 Num. 4 Dic, Pàg. 785-789]
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| 2047.- |
Impurity breakdown in GaAs samples grown by molecular beam epitaxy
Rubinger, R.M1; Oliveira, A.G. de; Ribeiro, G.M; Bezerra, J.C; Silva, C.M; Rodrigues, W.N; Moreira, M.V.B
1Universidade Federal de Minas Gerais, Departamento de Física, Belo Horizonte, Minas Gerais. Brasil
[ Brazilian journal of physics, Brasil, 1999 Vol. 29 Num. 4 Dic, Pàg. 793-796]
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| 2048.- |
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| 2049.- |
Influence of laser excitation on Raman and photoluminescence spectra and FTIR study of porous silicon layers
Salcedo, Walter Jaimes1; Fernandez, Francisco J. Ramirez2; Rubimc, Joel C3
1Universidade de Sao Paulo, Instituto de Química, Sao Paulo. Brasil; 2Universidade de Sao Paulo, Escola Politecnica, Sao Paulo. Brasil; 3Universidade de Brasilia, Brasilia, Distrito Federal. Brasil
[ Brazilian journal of physics, Brasil, 1999 Vol. 29 Num. 4 Dic, Pàg. 751-755]
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| 2050.- |
Interband magneto-absorption in narrow-gap semiconductor quantum wells
López Richard, V1; Marques, G.E; Trallero Giner, C
1Universidade Federal de Sao Carlos, Departamento de Física, Sao Carlos, Sao Paulo. Brasil; 2Universidad de La Habana, Departamento de Física Teórica, La Habana. Cuba
[ Brazilian journal of physics, Brasil, 1999 Vol. 29 Num. 4 Dic, Pàg. 679-684]
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| 2051.- |
Magnetotransport in a spatially modulated magnetic field
Gusev, G.M1; Quivy, A.A; Leite, J.R; Bykov, A.A; Moshehov, N.T; Kudryashev, V.M; Toropov, A.I; Nastaushev, Yu. V
1Universidade de Sao Paulo, Instituto de Física, Sao Paulo. Brasil; 2Russian Academy of Sciences, Institute of Semiconductor Physics, Novosibirsk. Rusia
[ Brazilian journal of physics, Brasil, 1999 Vol. 29 Num. 4 Dic, Pàg. 711-714]
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| 2052.- |
Metal-insulator transition at B=0 in an AlGaAs/GaAs two-dimensional electron gas under the influence of InAs self-assembled quantum dots
Ribeiro, E1; Jäggi, R; Heinzel, T; Ensslin, K; Ribeiro, G. Medeiros; Petroff, P.M
1Universidade Estadual de Campinas, Instituto de Fisica "Gleb Wataghin", Campinas, Sao Paulo. Brasil; 2Solid State Physics Laboratory, Zurich. Suiza; 3University of California, Materials Department, Santa Barbara, California. Estados Unidos de América
[ Brazilian journal of physics, Brasil, 1999 Vol. 29 Num. 4 Dic, Pàg. 742-745]
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| 2053.- |
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| 2054.- |
Minibands and Wannier-Stark ladders in semiconductor superlattices studied by infrared spectroscopy
Helm, M1; Hilbert, W; Strasser, G; DeMeester, R; Peeters, F.M
1Universitat Linz, Institut für Halbleiter und Festkörper Physik, Linz, Oeberoesterreich. Austria; 2Technische Universität Wien, Institut für Festkörperelektronik, Viena. Austria; 3University of Antwerp, Department of Physics, Amberes. Bélgica
[ Brazilian journal of physics, Brasil, 1999 Vol. 29 Num. 4 Dic, Pàg. 652-660]
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| 2055.- |
Morphological, optical and structural properties of zero-net-strained InGaAsP/InP structures grown by LP-MOVPE for 1.55 micrometers laser applications
Carvalho, Wilson de1; Bernussi, Ayrton Andre; Furtado, Mario Tosi; Gobbi, Angelo Luiz; Cotta, Monica
1Fundacao Centro de Pesquisa e Desenvolvimento em Telecomunicacoes, Campinas, Sao Paulo. Brasil; 2Universidade Estadual de Campinas, Laboratorio de Pesquisa em Dispositivos, Campinas, Sao Paulo. Brasil
[ Brazilian journal of physics, Brasil, 1999 Vol. 29 Num. 4 Dic, Pàg. 839-842]
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| 2056.- |
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| 2057.- |
Observation of low frequency oscillations in GaAs samples grown by molecular beam epitaxy at low temperatures
Rubinger, R.M1; Oliveira, A.G. de; Ribeiro, G.M; Soares, D.A.W; Moreira, M.V.B
1Universidade Federal de Minas Gerais, Departamento de Física, Belo Horizonte, Minas Gerais. Brasil
[ Brazilian journal of physics, Brasil, 1999 Vol. 29 Num. 4 Dic, Pàg. 797-800]
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| 2058.- |
Plasma ion implantation of nitrogen into silicon: high resolution X-ray diffraction
Beloto, A.F1; Abramof, E; Ueda, M; Berni, L.A; Gomes, G.F
1Instituto Nacional de Pesquisas Espaciais, Laboratorio Associado de Sensores e Materiais, Sao Jose dos Campos, Sao Paulo. Brasil; 2Laboratorio Nacional de Pesquisas Espaciais, Laboratorio Associado de Plasma, Sao Jose dos Campos, Sao Paulo. Brasil
[ Brazilian journal of physics, Brasil, 1999 Vol. 29 Num. 4 Dic, Pàg. 768-770]
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| 2059.- |
Quantum Hall effect in a wide parabolic quantum well
Gusev, G.M1; Leite, J.R; Olshanetskii, E.B; Maude, D.K; Casse, M; Portal, J.C; Moshegov, N.T; Toropov, A.I
1Universidade de Sao Paulo, Instituto de Física, Sao Paulo. Brasil; 2Russian Academy of Sciences, Institute of Semiconductor Physics, Novosibirsk. Rusia
[ Brazilian journal of physics, Brasil, 1999 Vol. 29 Num. 4 Dic, Pàg. 715-718]
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| 2060.- |
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