MOCVD GaInP heterojunction bipolar transistor current gain stability



Título del documento: MOCVD GaInP heterojunction bipolar transistor current gain stability
Revista: Superficies y vacío
Base de datos: PERIÓDICA
Número de sistema: 000252055
ISSN: 1665-3521
Autores: 1


Instituciones: 1Instituto Politécnico Nacional, Centro de Investigación y de Estudios Avanzados, México, Distrito Federal. México
Año:
Periodo: Dic
Volumen: 13
Paginación: 54-56
País: México
Idioma: Inglés
Tipo de documento: Artículo
Enfoque: Experimental, descriptivo
Disciplinas: Ingeniería
Palabras clave: Ingeniería de materiales,
Heterouniones,
Transistores,
Galio,
Indio
Keyword: Engineering,
Materials engineering,
Heterojunctions,
Transistors,
Gallium,
Indium
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