Gaussian superlattice in GaAs/GaInNAs solar cells



Título del documento: Gaussian superlattice in GaAs/GaInNAs solar cells
Revista: Revista mexicana de física
Base de datos: PERIÓDICA
Número de sistema: 000425914
ISSN: 0035-001X
Autores: 1
1
1
1
3
Instituciones: 1Universidad Autónoma de Zacatecas, Unidad Académica de Física, Zacatecas. México
2Universidad de La Habana, Facultad de Física, La Habana. Cuba
3Universidad de La Habana, Instituto de Ciencias de los Materiales y Tecnología, La Habana. Cuba
Año:
Periodo: May-Jun
Volumen: 63
Número: 3
País: México
Idioma: Inglés
Tipo de documento: Artículo
Enfoque: Analítico, teórico
Resumen en inglés We present a new type of photovoltaic device where Gaussian superlattice is inserted in the i-region of a GaAs/GaInNAs p-i-n solar cell. A theoretical model is developed to study the performance of these devices. We establish a new criterion to calculate miniband widths in superlattice heterostructures in the presence of electric field. By optimizing miniband width, the spectral response of the cell in the energy region below the absorption edge of host material is significantly enhanced. Our results show that these devices could reach higher conversion efficiencies than the single-gap solar cell
Disciplinas: Física y astronomía
Palabras clave: Física,
Modelado,
Superredes,
Celdas solares
Keyword: Physics,
Modeling,
Superlattices,
Solar cells
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