| Revista: | Revista mexicana de física |
| Base de datos: | PERIÓDICA |
| Número de sistema: | 000333898 |
| ISSN: | 0035-001X |
| Autores: | Hyun-woong, Chang1 Hyun-chul, Kim1 Young-Bae, Kim Yu-hang, Wang2 Duck-Kyun, Choi1 |
| Instituciones: | 1Hanyang University, Department of Ceramic Engineering, Seúl. Corea del Sur 2Harbin Institute of Technology, National Key Laboratory of Advanced Welding Production and Technology, Harbin, Heilungkiang. China |
| Año: | 2007 |
| Periodo: | Ene |
| Volumen: | 53 |
| Número: | 1 |
| Paginación: | 1-4 |
| País: | México |
| Idioma: | Inglés |
| Tipo de documento: | Artículo |
| Enfoque: | Experimental, aplicado |
| Resumen en español | Se fabricaron transistores de silicio policristalino de película delgada (TFTs poli–Si) para aplicación LCD en sustrato de vidrio mediante un proceso de cristalización lateral asistida por campo (FALC). La cristalización de silicio amorfo (a–Si) se reforzó significativamente cuando se aplicó un campo eléctrico de 100 V/cm a una película a–Si con deposición selectiva de Ni durante recocido térmico a 500° en ambiente de N2 por 5 horas. El canal de los transistores se cristalizó directamente del lado del electrodo con sesgo negativo. La movilidad del efecto de campo del TFT poli–Si fabricado era de 200.5 cm2/V–s. Por consiguiente, se comprobó la posibilidad de producir TFTs poli–Si de alto rendimiento y baja temperatura (<500°) por medio del proceso Ni–FALC |
| Resumen en inglés | Polycrystalline silicon thin film transistors (poly–Si TFTs) for LCD application were fabricated on glass substrate using the field–aided lateral crystallization (FALC) process. The crystallization of amorphous silicon (a–Si) was significantly enhanced when the electric field of 100V/cm was applied to selectively Ni–deposited a–Si film during thermal annealing at 500° in N2 ambient for 5 hrs. The channel of the transistors was directionally crystallized from the negatively biased electrode side. The field–effect mobility of the fabricated poly–Si TFTs was about 200.5 cm2/V–s. Therefore, the possibility of high–performance and low–temperature (<500°) poly–Si TFTs was demonstrated by using the Ni–FALC process |
| Disciplinas: | Ingeniería |
| Palabras clave: | Ingeniería electrónica, Cristalización, Catalizadores, Transistores, Silicio policristalino |
| Keyword: | Engineering, Electronic engineering, Crystallization, Catalysts, Transistors, Polycrystalline silicon |
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