Lifetime of positrons trapped at defects in silicon
Título del documento: Lifetime of positrons trapped at defects in silicon
Revista: Revista colombiana de física
Base de datos: PERIÓDICA
Número de sistema: 000148034
ISSN: 0120-2650
Autores: 1
2
Instituciones: 1Universidad de Antioquia, Departamento de Física, Medellín, Antioquia. Colombia
2Ghent University, Subatomic and Radiation Physics Department, Gante. Bélgica
Año:
Volumen: 30
Número: 2
Paginación: 199-202
País: Colombia
Idioma: Inglés
Tipo de documento: Artículo
Enfoque: Analítico
Disciplinas: Ingeniería,
Física y astronomía
Palabras clave: Física de partículas y campos cuánticos,
Positrones,
Silicio,
Defectos,
Estructura electrónica,
Tiempo de vida
Keyword: Physics and astronomy,
Particle physics and quantum fields,
Positrons,
Silicon,
Defects,
Electronic structure,
Lifetime
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