Lifetime of positrons trapped at defects in silicon
Título del documento: Lifetime of positrons trapped at defects in silicon
Revista: Revista colombiana de física
Base de datos: PERIÓDICA
Número de sistema: 000147484
ISSN: 0120-2650
Autors: 1
2
Institucions: 1Universidad de Antioquia, Departamento de Física, Medellín, Antioquia. Colombia
2Ghent University, Subatomic and Radiation Physics Department, Gante. Bélgica
3Charles University, Department of Low Temperature Physics, Praga. República Checa
Any:
Volum: 30
Número: 1
Paginació: 169-172
País: Colombia
Idioma: Inglés
Tipo de documento: Artículo
Enfoque: Analítico
Disciplines Física y astronomía
Paraules clau: Física de materia condensada,
Física de partículas y campos cuánticos,
Positrones,
Tiempo de vida,
Silicio,
Defectos,
Espectroscopía
Keyword: Physics and astronomy,
Condensed matter physics,
Particle physics and quantum fields,
Positrons,
Lifetime,
Silicon,
Defects,
Spectroscopy
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