| Revista: | Momento |
| Base de datos: | PERIÓDICA |
| Número de sistema: | 000407161 |
| ISSN: | 0121-4470 |
| Autores: | Pulzara Mora, Alvaro1 Meléndez Lira, Miguel2 López López, Máximo2 |
| Instituciones: | 1Universidad Nacional de Colombia, Laboratorio de Nanoestructuras Semiconductoras, Manizales, Caldas. Colombia 2Instituto Politécnico Nacional, Centro de Investigación y de Estudios Avanzados, México, Distrito Federal. México |
| Año: | 2012 |
| Periodo: | Dic |
| Número: | 45 |
| Paginación: | 34-43 |
| País: | Colombia |
| Idioma: | Español |
| Tipo de documento: | Artículo |
| Enfoque: | Analítico, descriptivo |
| Resumen en español | Las películas de GaP1-xNx fueron depositaron por magnetrón sputtering sobre substratos silicio (100) variando la temperaturas del substrato desde 420 oC hasta 520 oC. Difracción de rayos-X muestran que las películas son policristalinas con orientación preferencial en la dirección (111). Micrografías de alta resolución tomadas en sección transversal con un microscopio electrónico de barrido, muestran un crecimiento columnar. Espectros Raman evidencian la existencia de modos vibracionales TO y LO localizados en 370 y 408 cm-1 asociados a GaP, y un modo fonónico local alrededor de 390 cms-1 relacionado con el desorden estructural inducido por nitrógeno, debido probablemente a la incorporación de átomos y/o clusters de N en la matriz de GaP |
| Resumen en inglés | GaPN thin films were deposited on Silicon (100) substrates, in the range of 420-520 oC by r-f magnetron sputtering employing a nitrogen–argon atmosphere. According to X-ray measurements the GaPN films are polycrystalline with preferential orientation along of (111) direction. High resolution scanning electron microscopy (HRSEM) images taken in cross sectional show a columnar growth. Raman spectra show TO and LO vibrational phonon modes at 370 and 408 cm-1 associated to GaP, and a local phonon mode around 390 cm-1, likely related with N-induced disorder or N-cluster formation in GaP host |
| Disciplinas: | Física y astronomía, Ingeniería |
| Palabras clave: | Física de materia condensada, Ingeniería de materiales, Fosfuro de galio, Películas delgadas, Pulverización catódica, Semiconductores |
| Keyword: | Physics and astronomy, Engineering, Condensed matter physics, Materials engineering, Gallium phosphide, Thin films, Sputtering, Semiconductors |
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