Revista: | Journal of the Brazilian Chemical Society |
Base de datos: | PERIÓDICA |
Número de sistema: | 000310720 |
ISSN: | 0103-5053 |
Autores: | Bottecchia, Otavio Luiz1 |
Instituciones: | 1Universidade Federal de Uberlandia, Departamento de Quimica, Uberlandia, Minas Gerais. Brasil |
Año: | 1998 |
Periodo: | Dic |
Volumen: | 9 |
Número: | 6 |
Paginación: | 515-520 |
País: | Brasil |
Idioma: | Inglés |
Tipo de documento: | Artículo |
Enfoque: | Experimental, aplicado |
Resumen en inglés | A model of the growth of thin films of copper selenides is proposed. A mathematical equation that describes the kinetics of the growth is derived. Simulated results and a discussion on the results of the model are presented. A fitting procedure of literature data with the derived equation is carried out. The diffusion coefficient of copper(I) ions in copper selenide is roughly estimated |
Resumen en portugués | Propõe-se um modelo de crescimento de filmes finos de seleneto de cobre. É apresentada uma equação matemática que descreve a cinética de crescimento do filme. São apresentados resultados simulados bem como discussão sobre os resultados do modelo. Fez-se um procedimento de ajuste dos dados derivados do modelo com resultados experimentais. Foi estimado o coeficiente de difusão dos íons Cu(I) em seleneto de cobre |
Disciplinas: | Química, Ingeniería |
Palabras clave: | Ingeniería de materiales, Ingeniería química, Selenuro de cobre, Difusión, Películas delgadas |
Keyword: | Chemistry, Engineering, Chemical engineering, Materials engineering, Copper selenide, Diffusion, Thin films |
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