A Model of the Growth of Copper Selenide Thin Films Controlled by Diffusion and Chemical Reaction



Título del documento: A Model of the Growth of Copper Selenide Thin Films Controlled by Diffusion and Chemical Reaction
Revista: Journal of the Brazilian Chemical Society
Base de datos: PERIÓDICA
Número de sistema: 000310720
ISSN: 0103-5053
Autores: 1
Instituciones: 1Universidade Federal de Uberlandia, Departamento de Quimica, Uberlandia, Minas Gerais. Brasil
Año:
Periodo: Dic
Volumen: 9
Número: 6
Paginación: 515-520
País: Brasil
Idioma: Inglés
Tipo de documento: Artículo
Enfoque: Experimental, aplicado
Resumen en inglés A model of the growth of thin films of copper selenides is proposed. A mathematical equation that describes the kinetics of the growth is derived. Simulated results and a discussion on the results of the model are presented. A fitting procedure of literature data with the derived equation is carried out. The diffusion coefficient of copper(I) ions in copper selenide is roughly estimated
Resumen en portugués Propõe-se um modelo de crescimento de filmes finos de seleneto de cobre. É apresentada uma equação matemática que descreve a cinética de crescimento do filme. São apresentados resultados simulados bem como discussão sobre os resultados do modelo. Fez-se um procedimento de ajuste dos dados derivados do modelo com resultados experimentais. Foi estimado o coeficiente de difusão dos íons Cu(I) em seleneto de cobre
Disciplinas: Química,
Ingeniería
Palabras clave: Ingeniería de materiales,
Ingeniería química,
Selenuro de cobre,
Difusión,
Películas delgadas
Keyword: Chemistry,
Engineering,
Chemical engineering,
Materials engineering,
Copper selenide,
Diffusion,
Thin films
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