Wire crystals of gaas and inas grown by molecular beam epitaxy on porous silicon
Título del documento: Wire crystals of gaas and inas grown by molecular beam epitaxy on porous silicon
Revista: Brazilian journal of physics
Base de datos: PERIÓDICA
Número de sistema: 000007955
ISSN: 0103-9733
Autores: 1
Instituciones: 1Universidade de Sao Paulo, Inst Fisica Quimica, Sao Carlos, Sao Paulo. Brasil
Año:
Periodo: Mar
Volumen: 24
Número: 1
Paginación: 340-343
País: Brasil
Idioma: Inglés
Tipo de documento: Artículo
Enfoque: Analítico
Disciplinas: Física y astronomía
Palabras clave: Física atómica y molecular,
Física de materia condensada,
Cúmulos,
Epitaxia,
Cristales,
Morfología,
Superficies,
Silicio poroso
Keyword: Physics and astronomy,
Atomic and molecular physics,
Condensed matter physics,
Epitaxy,
Crystals,
Surfaces,
Clusters,
Morphology,
Porous silicon
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