Microscopic properties of the SiO2/Si interface growth based on numerical simulations
Título del documento: Microscopic properties of the SiO2/Si interface growth based on numerical simulations
Revista: Brazilian journal of physics
Base de datos: PERIÓDICA
Número de sistema: 000132017
ISSN: 0103-9733
Autores: 1
Instituciones: 1Universidade Federal de Pernambuco, Departamento de Física, Recife, Pernambuco. Brasil
Año:
Periodo: Jun
Volumen: 27
Número: 2
Paginación: 325-333
País: Brasil
Idioma: Inglés
Tipo de documento: Artículo
Enfoque: Analítico
Disciplinas: Química,
Física y astronomía,
Matemáticas
Palabras clave: Fisicoquímica y química teórica,
Física de materia condensada,
Matemáticas aplicadas,
Oxidación,
Silicio,
Películas delgadas,
Simulación numérica,
Interfaces
Keyword: Chemistry,
Physics and astronomy,
Mathematics,
Physical and theoretical chemistry,
Condensed matter physics,
Applied mathematics,
Oxidation,
Silicon,
Thin films,
Numerical simulation,
Interface
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