1/f noise in doped hydrogenated amorphous silicon
Título del documento: 1/f noise in doped hydrogenated amorphous silicon
Revista: Brazilian journal of physics
Base de datos: PERIÓDICA
Número de sistema: 000001212
ISSN: 0103-9733
Autores: 1
Instituciones: 1University of Minnesota, School Physics Astronomy, Minneapolis, Minnesota. Estados Unidos de América
Año:
Periodo: Jun
Volumen: 23
Número: 2
Paginación: 137-143
País: Brasil
Idioma: Inglés
Tipo de documento: Artículo
Enfoque: Analítico
Disciplinas: Física y astronomía
Palabras clave: Física de materia condensada,
Ruido,
Conductancia,
Silicio amorfo,
Semiconductores,
Corriente eléctrica
Keyword: Physics and astronomy,
Condensed matter physics,
Noise,
Conductance,
Semiconductors,
Silicon-amorphous,
Electric current
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