Contribution of the spin current to the damping of the magnetic moment precession of Fe impurities in Pd
Costa, M.V. Tovar¹; Barbosa, A.C. de Castro²; Costa-Junior, A. T^3
1Universidade do Estado do Rio de Janeiro, Instituto de Aplicacao, Rio de Janeiro. Brasil; ²Universidade do Estado do Rio de Janeiro, Instituto de Matematica e Estatistica, Rio de Janeiro. Brasil; ³Universidade Federal de Lavras, Departamento de Ciencias Exatas, Lavras, Minas Gerais. Brasil
[Brazilian journal of physics, Brasil, 2006 Vol. 36 Núm. 3B Sep, Pág. 848-850]

Correlated electron-hole transitions in bulk GaAs and GaAs-(Ga,Al)As quantum wells: effects of applied electric and in-plane magnetic fields
Duque, C.A¹; Oliveira, L.E²; Dios-Leyva, M. de^3
1Universidad de Antioquia, Instituto de Física, Medellín, Antioquia. Colombia; ²Universidade Estadual de Campinas, Instituto de Fisica, Campinas, Sao Paulo. Brasil; ³Universidad de La Habana, Departamento de Física Teórica, La Habana. Cuba
[Brazilian journal of physics, Brasil, 2006 Vol. 36 Núm. 3B Sep, Pág. 1038-1041]

D0 energy spectrum in In(Al)As/Ga(Al)As quasi-one-dimensional nanorings
Betancur, Javier¹; Gutiérrez, William; Mikhailov, Ilia D; Paredes, Harold
¹Universidad Industrial de Santander, Escuela de Física, Bucaramanga, Santander. Colombia
[Brazilian journal of physics, Brasil, 2006 Vol. 36 Núm. 3B Sep, Pág. 882-885]

DC electric field effects on the electron dynamics in double rectangular quantum dots
Ramirez, H.Y¹; Camacho, A.S; Lew Yan Voon, L C^2
1Universidad de Los Andes, Departamento de Física, Bogotá. Colombia; ²Wright State University, Dayton, Ohio. Estados Unidos de América
[Brazilian journal of physics, Brasil, 2006 Vol. 36 Núm. 3B Sep, Pág. 869-873]

Donor-related optical absorption spectra for a GaAs-Ga0.7Al0.3As double quantum well under hydrostatic pressure and applied electric field effects
Morales, A. L¹; Raigoza, N; Duque, C. A
¹Universidad de Antioquia, Instituto de Física, Medellín, Antioquia. Colombia
[Brazilian journal of physics, Brasil, 2006 Vol. 36 Núm. 3B Sep, Pág. 862-865]

Dynamical phase transition in vibrational surface modes
Calvo, H. L¹; Pastawski, H. M
¹Universidad Nacional de Córdoba, Facultad de Matemática, Astronomía y Física, Córdoba. Argentina
[Brazilian journal of physics, Brasil, 2006 Vol. 36 Núm. 3B Sep, Pág. 963-966]

Dynamics of two sliding magnetic surfaces
Dias, R.A¹; Rapini, M; Costa, B.V
¹Universidade Federal de Minas Gerais, Departamento de Fisica, Belo Horizonte, Minas Gerais. Brasil
[Brazilian journal of physics, Brasil, 2006 Vol. 36 Núm. 3B Sep, Pág. 1074-1077]

Effect of a magnetic field on tunneling conductance in normal metal d-wave superconductor interfaces
Herrera, William J¹; Niño, J. Virgilio
¹Universidad Nacional de Colombia, Departamento de Física, Bogotá. Colombia
[Brazilian journal of physics, Brasil, 2006 Vol. 36 Núm. 3B Sep, Pág. 1092-1096]

Effect of potential shape on the density of the impurity states in nanotube
Orozco, Eduardo A¹; González, Jesús D²; Barrera, Martha L
¹Universidad Santo Tomás, Facultad de Ingeniería de Telecomunicaciones, Bucaramanga, Santander. Colombia; ²Universidad Autónoma de Bucaramanga, Facultad de Ingeniería y Ciencias Naturales, Bucaramanga, Santander. Colombia
[Brazilian journal of physics, Brasil, 2006 Vol. 36 Núm. 3B Sep, Pág. 890-893]

Effect of the dot-dot interaction strength on the conductance of side-connected quantum dots
Davidovich, Maria A¹; Apel, V. M; Anda, E. V
¹Pontificia Universidade Catolica do Rio de Janeiro, Departamento de Fisica, Rio de Janeiro. Brasil
[Brazilian journal of physics, Brasil, 2006 Vol. 36 Núm. 3B Sep, Pág. 922-924]

Effects of disorder on the exchange coupling in (Ga,Mn)As diluted magnetic semiconductors
Silva, Antonio J.R. da¹; Fazzio, A; Santos, Raimundo R. dos²; Oliveira, Luiz E^3
1Universidade de Sao Paulo, Instituto de Fisica, Sao Paulo. Brasil; ²Universidade Federal do Rio de Janeiro, Instituto de Fisica, Rio de Janeiro. Brasil; ³Universidade Estadual de Campinas, Instituto de Fisica, Campinas, Sao Paulo. Brasil
[Brazilian journal of physics, Brasil, 2006 Vol. 36 Núm. 3B Sep, Pág. 813-816]

Effects of effective mass discontinuity on the conductance of three-dimensional quantum wires
Dacal, Luis C. O¹; Silva, Erasmo A. de Andrada e^2
1Instituto de Estudos Avancados, Sao Jose dos Campos, Sao Paulo. Brasil; ²Instituto Nacional de Pesquisas Espaciais, Sao Jose dos Campos, Sao Paulo. Brasil
[Brazilian journal of physics, Brasil, 2006 Vol. 36 Núm. 3B Sep, Pág. 910-912]

Effects of in-plane magnetic fields on the electronic cyclotron effective mass and Landé factor in GaAs-(Ga,Al)As quantum wells
Reyes Gómez, E¹; Perdomo Leiva, C.A²; Oliveira, L.E³; Dios-Leyva, M. de
¹Universidad de La Habana, Departamento de Física Teórica, La Habana. Cuba; ²Instituto Superior Politécnico "José Antonio Echeverría", Departamento de Física, La Habana. Cuba; ³Universidade Estadual de Campinas, Instituto de Fisica, Campinas, Sao Paulo. Brasil
[Brazilian journal of physics, Brasil, 2006 Vol. 36 Núm. 3B Sep, Pág. 858-861]

Effects of plasma immersion ion implantation (PIII) of nitrogen on hardness, composition and corrosion resistance of Ti-6Al-4V alloy
Silva, Leide Lili G. da¹; Ueda, Mario; Silva, Maria M. da²; Codaro, Eduardo N^3
1Instituto Nacional de Pesquisas Espaciais, Laboratorio Associado de Plasma, Sao Jose dos Campos, Sao Paulo. Brasil; ²Instituto Tecnologico de Aeronautica, Departamento de Engenharia Mecanica, Sao Jose dos Campos, Sao Paulo. Brasil; ³Universidade Estadual Paulista "Julio de Mesquita Filho", Departamento de Fisica e Quimica, Guaratingueta, Sao Paulo. Brasil
[Brazilian journal of physics, Brasil, 2006 Vol. 36 Núm. 3B Sep, Pág. 990-993]

Electrical and morphological properties of low resistivity Mo thin films prepared by magnetron sputtering
Gordillo, G¹; Mesa, F; Calderón, C
¹Universidad Nacional de Colombia, Departamento de Física, Bogotá. Colombia
[Brazilian journal of physics, Brasil, 2006 Vol. 36 Núm. 3B Sep, Pág. 982-985]

Electron G-factor and cyclotron effective mass in semiconductor quantum wells under growth-direction applied magnetic fields
Dios-Leyva, M. de¹; Porras Montenegro, N²; Brandi, H.S³; Oliveira, L.E^4
1Universidad de La Habana, Departamento de Física Teórica, La Habana. Cuba; ²Universidad del Valle, Departamento de Física, Cali, Valle del Cauca. Colombia; ³Universidade Federal do Rio de Janeiro, Instituto de Fisica, Rio de Janeiro. Brasil; ⁴Universidade Estadual de Campinas, Instituto de Fisica, Campinas, Sao Paulo. Brasil
[Brazilian journal of physics, Brasil, 2006 Vol. 36 Núm. 3B Sep, Pág. 854-857]

Electronic states in n-type GaAs delta-doped quantum wells under hydrostatic pressure
Mora Ramos, M. E¹; Duque, C. A^2
1Universidad Autónoma del Estado de Morelos, Facultad de Ciencias, Cuernavaca, Morelos. México; ²Universidad de Antioquia, Instituto de Física, Medellín, Antioquia. Colombia
[Brazilian journal of physics, Brasil, 2006 Vol. 36 Núm. 3B Sep, Pág. 866-868]

Electron mobility study of hot-wall CVD GaN and InN nanowires
Cimpoiasu, Elena¹; Stern, Eric; Cheng, Guosheng; Munden, Ryan; Sanders, Aric; Reed, Mark A
¹Yale University, Electrical Engineering Department, New Haven, Connecticut. Estados Unidos de América
[Brazilian journal of physics, Brasil, 2006 Vol. 36 Núm. 3B Sep, Pág. 824-827]

Enhanced of the R6G thermal diffusivity on aggregated small gold particles
Jiménez Pérez, J.L¹; Sánchez Ramírez, J.F; Gutiérrez Fuentes, R; Cruz Orea, A²; Herrera Pérez, J.L
¹Instituto Politécnico Nacional, Centro de Investigación en Ciencia Aplicada y Tecnología Avanzada, México, Distrito Federal. México; ²Instituto Politécnico Nacional, Centro de Investigación y de Estudios Avanzados, México, Distrito Federal. México
[Brazilian journal of physics, Brasil, 2006 Vol. 36 Núm. 3B Sep, Pág. 1025-1028]

Evidence of the miniband formation in InGaAs/InP superlattices
Pusep, Yu. A¹; Rodrigues, A. de Giovanni²; Galzerani, J. C; Comedi, D³; LaPierre, R. R
¹Universidade de Sao Paulo, Instituto de Fisica de Sao Carlos, Sao Carlos, Sao Paulo. Brasil; ²Universidade Federal de Sao Carlos, Departamento de Fisica, Sao Carlos, Sao Paulo. Brasil; ³McMaster University, Centre for Emerging Device Technologies, Hamilton, Ontario. Canadá
[Brazilian journal of physics, Brasil, 2006 Vol. 36 Núm. 3B Sep, Pág. 905-907]