Determination of gas reactive species by mass spectrometry in chlorine assisted hot-filament chemical vapor deposition of diamond
Barros, R.C. Mendes de¹; Corat, E.J; Airoldi, V.J. Trava; Ferreira, N.G; Leite, N.F; Lemos, V; Iha, K
¹Instituto Nacional de Pesquisas Espaciais, Sao Jose dos Campos, Sao Paulo. Brasil; ²Instituto Tecnologico de Aeronautica, Sao Jose dos Campos, Sao Paulo. Brasil; ³Universidade Estadual de Campinas, Instituto de Fisica "Gleb Wataghin", Campinas, Sao Paulo. Brasil
[Brazilian journal of physics, Brasil, 1997 Vol. 27A Núm. 4 Dic, Pág. 142-145]

Donor concentration effects on the potential profile of quantum dots
Waki, M¹; Watari, K^2
1Escola Federal de Engenharia de Itajuba, Itajuba, Minas Gerais. Brasil; ²Universidade de Sao Paulo, Instituto de Física, Sao Paulo. Brasil
[Brazilian journal of physics, Brasil, 1997 Vol. 27A Núm. 4 Dic, Pág. 319-322]

Doping efficiency in highly ordered PECVD a-Si1-xCx:H
Carreño, M.N.P¹; Pereyra, I
¹Universidade de Sao Paulo, Esc. Politecnica, Lab. Microelectronica, Sao Paulo. Brasil
[Brazilian journal of physics, Brasil, 1997 Vol. 27A Núm. 4 Dic, Pág. 166-169]

Effect of thermal annealing on a-Si1-xCx:H deposited under silane starving plasma regime
Villacorta, C.A¹; Pereyra, I
¹Universidade de Sao Paulo, Esc. Politecnica, Lab. Microelectronica, Sao Paulo. Brasil
[Brazilian journal of physics, Brasil, 1997 Vol. 27A Núm. 4 Dic, Pág. 162-165]

Effects of internal strains on resonant tunneling of holes
Bittencourt, A.C¹; Cohen, A.M; Marques, G.E
¹Universidade do Amazonas, Departamento de Física, Manaus, Amazonas. Brasil; ²Universidade Federal de Sao Carlos, Departamento de Física, Sao Carlos, Sao Paulo. Brasil
[Brazilian journal of physics, Brasil, 1997 Vol. 27A Núm. 4 Dic, Pág. 281-285]

Electric field induced delocalization in an aperiodic semiconductor heterostructure
Bosquetti, D¹; Basmaji, P; Hipolito, O; Marega-Junior, E
¹Universidade de Sao Paulo, Instituto de Fisica de Sao Carlos, Sao Carlos, Sao Paulo. Brasil
[Brazilian journal of physics, Brasil, 1997 Vol. 27A Núm. 4 Dic, Pág. 308-311]

Electron heating effects in a free standing wire observed by universal conductance fluctuations
La Scala-Junior, N¹; Gusev, G.M; Lubyshev. D.I; González Borrero, P.P; Rossi, J.C; Maude, D.K; Portal, J.C; Basmaji, P
¹Universidade de Sao Paulo, Instituto de Fisica de Sao Carlos, Sao Carlos, Sao Paulo. Brasil; ²Universidade Federal de Sao Carlos, Sao Carlos, Sao Paulo. Brasil; ³Centre National de la Recherche Scientifique, Grenoble, Isere. Francia
[Brazilian journal of physics, Brasil, 1997 Vol. 27A Núm. 4 Dic, Pág. 231-233]

Electronic and structural properties of complex defects in GaAs
Janotti, A¹; Fazzio, A; Piquini, P; Mota, R
¹Universidade de Sao Paulo, Instituto de Fisica, Sao Paulo. Brasil; ²Universidade Federal de Santa Maria, Departamento de Fisica, Santa Maria, Rio Grande do Sul. Brasil
[Brazilian journal of physics, Brasil, 1997 Vol. 27A Núm. 4 Dic, Pág. 110-115]

Electronic specific heat in a lightly doped quantum well, the Schottky anomaly
Serra, R.M¹; Emmel, P.D^2
1Universidade de Sao Paulo, Instituto de Física, Sao Paulo. Brasil; ²Universidade Federal de Sao Carlos, Departamento de Física, Sao Carlos, Sao Paulo. Brasil
[Brazilian journal of physics, Brasil, 1997 Vol. 27A Núm. 4 Dic, Pág. 295-298]

Electronic structure of point defects in SiC
Alves, H.W. Leite^1
1Universidade Federal de Sao Joao del Rei, Departamento de Ciencias Naturais, Sao Joao del Rei, Minas Gerais. Brasil
[Brazilian journal of physics, Brasil, 1997 Vol. 27A Núm. 4 Dic, Pág. 121-124]

Enhanced nonlinear optical response from a stee and gently sloping low relief surface: what is the difference?
Vitlina, R.S¹; Surdutovich, G.I; Baranauskas, V
¹Universidade Estadual de Campinas, Campinas, Sao Paulo. Brasil
[Brazilian journal of physics, Brasil, 1997 Vol. 27A Núm. 4 Dic, Pág. 264-268]

Experimental evidence of deep acceptor levels in GaAs exposed to near band gap light
Machado, W.V¹; Cipriano, E.C; Amato, M.A
¹Universidade de Brasilia, Departamento de Física, Brasilia, Distrito Federal. Brasil
[Brazilian journal of physics, Brasil, 1997 Vol. 27A Núm. 4 Dic, Pág. 116-120]

Finite size effects on antidots array in the presence of magnetic field
Alves, R.R¹; Andrade-Neto, M.A; Schulz, P.A
¹Universidade Estadual de Campinas, Instituto de Fisica "Gleb Wataghin", Campinas, Sao Paulo. Brasil
[Brazilian journal of physics, Brasil, 1997 Vol. 27A Núm. 4 Dic, Pág. 323-326]

First principles calculation of substitutional oxygen-hydrogen complex in gallium arsenide
Orellana, Walter M¹; Ferraz, A.C
¹Universidade de Sao Paulo, Instituto de Fisica, Sao Paulo. Brasil
[Brazilian journal of physics, Brasil, 1997 Vol. 27A Núm. 4 Dic, Pág. 93-96]

Green functions and power spectra of local magnetoplasmon modes in superlattices with broken translational symmetry
Reina Estupiñán, J.H¹; Granada, J.C
¹Universidad del Valle, Departamento de Física, Cali, Valle del Cauca. Colombia
[Brazilian journal of physics, Brasil, 1997 Vol. 27A Núm. 4 Dic, Pág. 276-280]

Growth of self-organized InGaAs islands by molecular beam epitaxy
Quivy, A.A¹; Cotta, M.A; Leite, J.R
¹Universidade de Sao Paulo, Instituto de Fisica, Sao Paulo. Brasil; ²Universidade Estadual de Campinas, Instituto de Fisica "Gleb Wataghin", Campinas, Sao Paulo. Brasil
[Brazilian journal of physics, Brasil, 1997 Vol. 27A Núm. 4 Dic, Pág. 154-157]

Heteroepitaxy of cubic GaN
Lischka, K^1
1Universitat Paderborn, Paderborn, Nordrhein-Westfalen. Alemania
[Brazilian journal of physics, Brasil, 1997 Vol. 27A Núm. 4 Dic, Pág. 80-87]

High resistivity silicon layers obtained by hydrogen ion implantation
Peres, Henrique Estanislau Maldonado¹; Ramirez Fernandez, Francisco Javier
¹Universidade de Sao Paulo, Escola Politecnica, Laboratorio de Microelectronica, Sao Paulo. Brasil
[Brazilian journal of physics, Brasil, 1997 Vol. 27A Núm. 4 Dic, Pág. 237-239]

High temperature properties of quaternary quantum well laser diodes
Bernussi, A.A¹; Temkin, H^2
1Telecomunicacoes Brasileiras S.A, Campinas, Sao Paulo. Brasil; ²Colorado State University, Dept. Electrical Engineering, Fort Collins, Colorado. Estados Unidos de América
[Brazilian journal of physics, Brasil, 1997 Vol. 27A Núm. 4 Dic, Pág. 29-37]

Improvement of the structural properties of near stoichiometric PECVD SiO2
Alayo, Marco I¹; Pereyra, Inés
¹Universidade de Sao Paulo, Esc. Politecnica, Lab. Microelectronica, Sao Paulo. Brasil
[Brazilian journal of physics, Brasil, 1997 Vol. 27A Núm. 4 Dic, Pág. 146-149]