Improvement of the structural properties of near stoichiometric PECVD SiO2
Título del documento: Improvement of the structural properties of near stoichiometric PECVD SiO2
Revista: Brazilian journal of physics
Base de datos: PERIÓDICA
Número de sistema: 000134437
ISSN: 0103-9733
Autores: 1
Instituciones: 1Universidade de Sao Paulo, Esc. Politecnica, Lab. Microelectronica, Sao Paulo. Brasil
Año:
Periodo: Dic
Volumen: 27A
Número: 4
Paginación: 146-149
País: Brasil
Idioma: Inglés
Tipo de documento: Artículo
Enfoque: Analítico
Disciplinas: Física y astronomía
Palabras clave: Física de materia condensada,
Dióxido de silicio,
Películas delgadas,
Depósito químico de vapor,
Estoiquiometría
Keyword: Physics and astronomy,
Condensed matter physics,
Silicon dioxide,
Thin films,
Chemical vapor deposition,
Stoichiometry
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