Conducción electrónica en capas delgadas de SiO2:N crecidas por oxidación térmica de silicio en N2O



Título del documento: Conducción electrónica en capas delgadas de SiO2:N crecidas por oxidación térmica de silicio en N2O
Revista: Superficies y vacío
Base de datos: PERIÓDICA
Número de sistema: 000404882
ISSN: 1665-3521
Autores: 1
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Instituciones: 1Instituto Politécnico Nacional, Centro de Investigación y de Estudios Avanzados, México, Distrito Federal. México
Año:
Periodo: Mar
Volumen: 16
Número: 1
Paginación: 32-36
País: México
Idioma: Español
Tipo de documento: Artículo
Enfoque: Analítico
Resumen en español Se realizaron crecimientos de películas delgadas de SiO2:N mediante la oxidación de silicio en presencia de N2O, a 900º, 1000º y 1100º C, y a 1 y 2 atmósferas de presión. Se muestra que el mecanismo de conducción que prevalece en estas películas para campos eléctricos intensos es la emisión térmica asistida por campo desde las trampas (mecanismo PooleFrenkel), y no el tunelamiento directo o el de Fowler-Nordheim, como ocurre en óxidos de silicio crecidos térmicamente con espesores similares. Se argumenta que esto se debe a concentraciones de trampas que varían con la presión y temperatura de depósito, posiblemente como consecuencia de la cantidad y distribución del nitrógeno obtenido para los diferentes crecimientos
Disciplinas: Física y astronomía,
Ingeniería
Palabras clave: Física de materia condensada,
Ingeniería de materiales,
Dieléctricos,
Películas delgadas,
Oxinitruro de silicio,
Oxido de silicio,
Dióxido de nitrógeno
Keyword: Physics and astronomy,
Engineering,
Condensed matter physics,
Materials engineering,
Dielectrics,
Thin films,
Silicon oxynitride,
Silicon oxide,
Nitrogen dioxide
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