| Revista: | Superficies y vacío |
| Base de datos: | PERIÓDICA |
| Número de sistema: | 000404882 |
| ISSN: | 1665-3521 |
| Autores: | Morales Acevedo, Arturo1 Santana, Guillermo1 Morales Tzompa, Eric1 |
| Instituciones: | 1Instituto Politécnico Nacional, Centro de Investigación y de Estudios Avanzados, México, Distrito Federal. México |
| Año: | 2003 |
| Periodo: | Mar |
| Volumen: | 16 |
| Número: | 1 |
| Paginación: | 32-36 |
| País: | México |
| Idioma: | Español |
| Tipo de documento: | Artículo |
| Enfoque: | Analítico |
| Resumen en español | Se realizaron crecimientos de películas delgadas de SiO2:N mediante la oxidación de silicio en presencia de N2O, a 900º, 1000º y 1100º C, y a 1 y 2 atmósferas de presión. Se muestra que el mecanismo de conducción que prevalece en estas películas para campos eléctricos intensos es la emisión térmica asistida por campo desde las trampas (mecanismo PooleFrenkel), y no el tunelamiento directo o el de Fowler-Nordheim, como ocurre en óxidos de silicio crecidos térmicamente con espesores similares. Se argumenta que esto se debe a concentraciones de trampas que varían con la presión y temperatura de depósito, posiblemente como consecuencia de la cantidad y distribución del nitrógeno obtenido para los diferentes crecimientos |
| Disciplinas: | Física y astronomía, Ingeniería |
| Palabras clave: | Física de materia condensada, Ingeniería de materiales, Dieléctricos, Películas delgadas, Oxinitruro de silicio, Oxido de silicio, Dióxido de nitrógeno |
| Keyword: | Physics and astronomy, Engineering, Condensed matter physics, Materials engineering, Dielectrics, Thin films, Silicon oxynitride, Silicon oxide, Nitrogen dioxide |
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