SEM and EDS characterization of GaAs layers grown by the close-spaced vapor transport technique at four different geometries using atomic hydrogen as initial reactant
Título del documento: SEM and EDS characterization of GaAs layers grown by the close-spaced vapor transport technique at four different geometries using atomic hydrogen as initial reactant
Revista: Revista mexicana de física
Base de datos: PERIÓDICA
Número de sistema: 000164166
ISSN: 0035-001X
Autores: 1
Instituciones: 1Benemérita Universidad Autónoma de Puebla, Instituto de Física, Puebla. México
2Benemérita Universidad Autónoma de Puebla, Instituto de Ciencias, Puebla. México
Año:
Periodo: Abr
Volumen: 43
Número: 2
Paginación: 290-299
País: México
Idioma: Inglés
Tipo de documento: Artículo
Enfoque: Analítico
Disciplinas: Física y astronomía
Palabras clave: Física,
Física de materia condensada,
Semiconductores,
Películas delgadas,
Microscopía electrónica de barrido,
Espectroscopía,
Energía dispersiva,
Parámetros de crecimiento
Keyword: Physics and astronomy,
Condensed matter physics,
Physics,
Semiconductors,
Thin films,
Scanning electron microscopy,
Spectroscopy,
Dispersive energy,
Growth parameters
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