Perturbation method applied to a basic diode circuit
Título del documento: Perturbation method applied to a basic diode circuit
Revista: Revista mexicana de física
Base de datos: PERIÓDICA
Número de sistema: 000381423
ISSN: 0035-001X
Autores: 1
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Instituciones: 1Universidad Veracruzana, Escuela de Instrumentación Electrónica, Jalapa, Veracruz. México
2Zhejiang University, Department of Mathematics, Zhejiang Wenzhou. China
3Universidad Iberoamericana, Departamento de Física y Matemáticas, México, Distrito Federal. México
4Universidad Veracruzana, Centro de Investigación en Micro y Nanotecnología, Boca del Río, Veracruz. México
5Instituto Nacional de Astrofísica, Optica y Electrónica, Tonantzintla, Puebla. México
6Universidad Veracruzana, Departamento de Inteligencia Artificial, Jalapa, Veracruz. México
7Universidad Veracruzana, Facultad de Ingeniería Civil, Boca del Río, Veracruz. México
Año:
Periodo: Ene-Feb
Volumen: 61
Número: 1
Paginación: 69-73
País: México
Idioma: Inglés
Tipo de documento: Artículo
Enfoque: Analítico, teórico
Resumen en inglés Because of the exponential characteristic of silicon diodes, exact solutions cannot be established when operating point and transient analysis are computed. To overcome that problem, the present work proposes a perturbation method which allows obtaining approximated analytic expressions of diode-based circuits. Simulation results show that numerical solutions obtained by using the proposed method are similar to those reported in literature, with the advantage of not requiring a user-selected arbitrary expansion point. Additionally, the method does not use the Lambert function W, reducing the proposed solution complexity, which makes it suitable for engineering applications
Disciplinas: Física y astronomía
Palabras clave: Física,
Análisis de circuitos,
Circuitos no lineales,
Método de perturbación
Keyword: Physics and astronomy,
Physics,
Circuit analysis,
Nonlinear circuits,
Perturbation method
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