Investigation of process-induced contaminations in silicon wafer processing
Título del documento: Investigation of process-induced contaminations in silicon wafer processing
Revista: Revista mexicana de física
Base de datos: PERIÓDICA
Número de sistema: 000002243
ISSN: 0035-001X
Autores: 1
Instituciones: 1Instituto Nacional de Astrofísica, Optica y Electrónica, Tonantzintla, Puebla. México
2Benemérita Universidad Autónoma de Puebla, Instituto de Ciencias, Puebla. México
Año:
Periodo: Dic
Volumen: 39
Número: 6
Paginación: 939-944
País: México
Idioma: Inglés
Tipo de documento: Artículo
Enfoque: Analítico
Disciplinas: Ingeniería,
Física y astronomía
Palabras clave: Ingeniería electrónica,
Física de materia condensada,
Obleas,
Recocido,
Litografía,
Contaminación,
Semiconductores,
Alta temperatura,
Circuitos integrados,
Grabado humedo-oxido
Keyword: Engineering,
Physics and astronomy,
Electronic engineering,
Condensed matter physics,
Wafers,
Annealing,
Lithography,
Contamination,
Semiconductors,
High temperature,
Wet oxide etching,
Integrated circuits
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