| Revista: | Momento |
| Base de datos: | PERIÓDICA |
| Número de sistema: | 000406916 |
| ISSN: | 0121-4470 |
| Autores: | Rojas Cuervo, Angela M1 Fonseca Romero, Karen M1 Rey González, Rafael R1 |
| Instituciones: | 1Universidad Nacional de Colombia, Facultad de Ciencias, Bogotá. Colombia |
| Año: | 2015 |
| Periodo: | Jun |
| Número: | 50 |
| Paginación: | 1-9 |
| País: | Colombia |
| Idioma: | Español |
| Tipo de documento: | Artículo |
| Enfoque: | Analítico |
| Resumen en español | Las novedosas propiedades del grafeno han motivado la búsqueda de materiales que presenten características similares. En el presente artículo se estudian la estabilidad química y la estructura de bandas de monocapas hexagonales de GaAs y GaN, usando un formalismo de primeros principios. Los resultados obtenidos mediante el código SIESTA, como implementación de la Teoría del Funcional de la Densidad, muestran que el GaAs (GaN) es un semiconductor con una brecha de energía prohibida indirecta (directa) |
| Resumen en inglés | The novel properties of graphene have motivated the search for materials with similar characteristics. In this work, we study the chemical stability and the band structures of GaAs and GaN hexagonal monolayers, using a first principles formalism. Results obtained with SIESTA code, as a DFT implementation, show GaAs (GaN) is an indirect (a direct) bandgap semiconductor |
| Disciplinas: | Física y astronomía, Ingeniería |
| Palabras clave: | Física de materia condensada, Ingeniería de materiales, Nanotecnología, Grafeno, Propiedades electrónicas |
| Keyword: | Physics and astronomy, Engineering, Condensed matter physics, Materials engineering, Nanotechnology, Graphene, Electronic properties |
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