Photoluminescence of Ge islands grown by ultra high vacuum-chemical vapor deposition on Si(100)
Título del documento: Photoluminescence of Ge islands grown by ultra high vacuum-chemical vapor deposition on Si(100)
Revista: Brazilian journal of physics
Base de datos: PERIÓDICA
Número de sistema: 000134604
ISSN: 0103-9733
Autores: 1
Instituciones: 1Pontificia Universidade Catolica do Rio de Janeiro, Dep. Ciencia Materiais Metalurgia, Rio de Janeiro. Brasil
2Ctr. Richerche Frascati, Frascati, Lazio. Italia
Año:
Periodo: Dic
Volumen: 27A
Número: 4
Paginación: 181-184
País: Brasil
Idioma: Inglés
Tipo de documento: Artículo
Enfoque: Analítico
Disciplinas: Física y astronomía
Palabras clave: Física de materia condensada,
Optica,
Semiconductores,
Fotoluminiscencia,
Depósito químico de vapor,
Islas de germanio,
Películas delgadas
Keyword: Physics and astronomy,
Condensed matter physics,
Optics,
Semiconductors,
Photoluminescence,
Chemical vapor deposition,
Germanium islands,
Thin films
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