Brazilian journal of physics

2241.-	P-type SI-doped structures grown by molecular beam epitaxy on (311)A GAAS substrates Quivy, A.A¹; Frizzarini, M; Silva, E.C.F. da; Sperandio, A.L; Leite, J.R ¹Universidade de Sao Paulo, Instituto de Fisica, Sao Paulo. Brasil [Brazilian journal of physics, Brasil, 1997 Vol. 27A Núm. 4 Dic, Pág. 125-129]
2242.-	Quantum dots grown in-situ by MOVPE: Sizes, densities and optical properties Seifert, W¹; Carlsson, N; Castrillo, P; Hessman, D; Johansson, J; Pistol, M.E; Samuelson, L ¹Lunds Universitet, Solid State Physics, Lund, Malmohus. Suecia [Brazilian journal of physics, Brasil, 1997 Vol. 27A Núm. 4 Dic, Pág. 3-11]
2243.-	Quantum size effects in one-dimensional disordered quantum wells Rey Gonzalez, R¹; Schulz, P.A ¹Universidade Estadual de Campinas, Instituto de Fisica "Gleb Wataghin", Campinas, Sao Paulo. Brasil [Brazilian journal of physics, Brasil, 1997 Vol. 27A Núm. 4 Dic, Pág. 290-294]
2244.-	Radiative and nonradiative recombinations in quantum-well wires Pérez Merchancano, S.T¹; Dios-Leyva, M. de² ¹Universidade Estadual de Campinas, Instituto de Fisica "Gleb Wataghin", Campinas, Sao Paulo. Brasil; ²Universidad de La Habana, Departamento de Física Teórica, La Habana. Cuba [Brazilian journal of physics, Brasil, 1997 Vol. 27A Núm. 4 Dic, Pág. 260-263]
2245.-	Resonant tunneling used as an optical probe to electron and hole dispersion curves of quantum wells Souza, Marcio A.R¹; Chitta, V.A² ¹Universidade de Sao Paulo, Instituto de Fisica, Sao Carlos, Sao Paulo. Brasil; ²Universidade Federal de Sao Carlos, Departamento de Física, Sao Carlos, Sao Paulo. Brasil [Brazilian journal of physics, Brasil, 1997 Vol. 27A Núm. 4 Dic, Pág. 200-205]
2246.-	Structural characterization of photoluminescent porous silicon with FTIR spectroscopy Salcedo, Walter Jaimes¹; Ramirez Fernandez, Francisco J; Galeazzo, Elizabete ¹Universidade de Sao Paulo, Esc. Politecnica, Lab. Microelectronica, Sao Paulo. Brasil [Brazilian journal of physics, Brasil, 1997 Vol. 27A Núm. 4 Dic, Pág. 158-161]
2247.-	Structure and energetic of GaAs:Te and InAs:Te surfaces Silva, Roberto Claudino da¹; Ferraz, Armando Corbani ¹Universidade de Sao Paulo, Instituto de Fisica, Sao Paulo. Brasil [Brazilian journal of physics, Brasil, 1997 Vol. 27A Núm. 4 Dic, Pág. 234-236]
2248.-	Superlattices in the presence of external AC electric fields: frequency commensurability effects in dressed minibands Rivera, P.H¹; Schulz, P.A ¹Universidade Estadual de Campinas, Instituto de Fisica "Gleb Wataghin", Campinas, Sao Paulo. Brasil [Brazilian journal of physics, Brasil, 1997 Vol. 27A Núm. 4 Dic, Pág. 272-275]
2249.-	Temporally and spatially resolved optical experiments on semiconductor quantum wells and quantum dots Plessen, G. von¹; Feldmann, J ¹Ludwig Maximilian University of Munich, Sektion Physik, Munich, Baviera. Alemania [Brazilian journal of physics, Brasil, 1997 Vol. 27A Núm. 4 Dic, Pág. 20-28]
2250.-	The carbon incorporation in PECVD a-Si1-xCx:H in the low power density regime Pereyra, I¹; Carreño, M.N.P; Prado, R.J; Tabacniks, M.H; Fantini, M.C.A ¹Universidade de Sao Paulo, Esc. Politecnica, Lab. Microelectronica, Sao Paulo. Brasil; ²Universidade de Sao Paulo, Instituto de Física, Sao Paulo. Brasil [Brazilian journal of physics, Brasil, 1997 Vol. 27A Núm. 4 Dic, Pág. 150-153]
2251.-	The effect of hydrostatic pressure on the optical properties of GaAs/AlGaAs (311)A oriented quantum wells Freire, S.L.S¹; Cury, L.A; Matinaga, F.M; Moreira, M.V.B; Oliveira, A.G. de ¹Universidade Federal de Minas Gerais, Instituto de Ciencias Exactas, Departamento de Fisica, Belo Horizonte, Minas Gerais. Brasil [Brazilian journal of physics, Brasil, 1997 Vol. 27A Núm. 4 Dic, Pág. 305-307]
2252.-	The electron-phonon interaction in semiconductor films with interfacial charges Alencar, A.M¹; Freire, V.N; Farias, G.A ¹Universidade Federal do Ceara, Centro de Ciencias Exatas, Fortaleza, Ceara. Brasil [Brazilian journal of physics, Brasil, 1997 Vol. 27A Núm. 4 Dic, Pág. 240-243]
2253.-	Theoretical studies on transport and optical properties of delta-doped semiconductors Guo-Qiang Hai¹; Studart, Nelson ¹Universidade Federal de Sao Carlos, Departamento de Física, Sao Carlos, Sao Paulo. Brasil [Brazilian journal of physics, Brasil, 1997 Vol. 27A Núm. 4 Dic, Pág. 12-19]
2254.-	The role of doping on the ultrafast transport transient in p-GaAs and n-GaAs Caetano, E.W.S¹; Mendes, E.A; Costa-Filho, R.N; Freire, V.N; Costa, J.A.P. da ¹Universidade Federal do Ceara, Departamento de Fisica, Fortaleza, Ceara. Brasil; ²Universidade Federal do Rio Grande do Norte, Departamento de Fisica Teorica e Experimental, Natal, Rio Grande do Norte. Brasil [Brazilian journal of physics, Brasil, 1997 Vol. 27A Núm. 4 Dic, Pág. 227-230]
2255.-	The structure of Si/Ge superlattices Palacios, H. Trinidad¹; Carvalho, C.A.M; Fantini, M.C.A ¹Universidade de Sao Paulo, Instituto de Física, Sao Paulo. Brasil [Brazilian journal of physics, Brasil, 1997 Vol. 27A Núm. 4 Dic, Pág. 336-339]
2256.-	Time resolved photoreflectance in Si:GaAs delta doped superlattices Bell, M.J.V¹; Sousa, D.F. de; Nunes, L.A.O ¹Universidade Estadual de Campinas, Campinas, Sao Paulo. Brasil; ²Universidade de Sao Paulo, Instituto de Física, Sao Carlos, Sao Paulo. Brasil [Brazilian journal of physics, Brasil, 1997 Vol. 27A Núm. 4 Dic, Pág. 185-188]
2257.-	Transition between heavy hole - light hole states in the valence band of CdTe at temperatures 5K - 350K Belogorokhov, A.I¹; Leite, J.R; Belogorokhova, L.I ¹Universidade de Sao Paulo, Sao Paulo. Brasil; ²Moscow State University, Physics Department, Moscú. Rusia [Brazilian journal of physics, Brasil, 1997 Vol. 27A Núm. 4 Dic, Pág. 332-335]
2258.-	Ultrafast time dynamics of the optical absorption of CdTe quantum dots in a glass matrix Marotti, R.E¹; Rodrigues, P.A.M; Barbosa, L.C; Brito Cruz, C.H ¹Universidade Estadual de Campinas, Instituto de Física, Campinas, Sao Paulo. Brasil [Brazilian journal of physics, Brasil, 1997 Vol. 27A Núm. 4 Dic, Pág. 286-289]
2259.-	Universal diagonal and Hall conductance fluctuations in a random magnetic field Gusev, G.M¹; Basmaji, P; Gennser, U; Kleber, X; Maude, D.K; Portal, J.C; Lubyshev, D.I; Silva, M. de P.A; Rossi, J.C; Nastaushev, Yu. V ¹Universidade de Sao Paulo, Instituto de Fisica, Sao Carlos, Sao Paulo. Brasil; ²Universidade Federal de Sao Carlos, Sao Carlos, Sao Paulo. Brasil; ³Paul Scherrer Institute, Villigen. Suiza; ⁴Centre National de la Recherche Scientifique, Grenoble, Isere. Francia; ⁵Russian Academy of Sciences, Institute of Semiconductor Physics, Novosibirsk. Rusia [Brazilian journal of physics, Brasil, 1997 Vol. 27A Núm. 4 Dic, Pág. 219-222]
2260.-	Vertically stacked self-assembled InGaAs quantum dot layers grown on (311)A/B and (001) orientations González Borrero, P.P¹; Petitprez, E; Luvyshev, D.I; Marega Junior, E; Basmaji, P ¹Universidade de Sao Paulo, Instituto de Fisica, Sao Carlos, Sao Paulo. Brasil [Brazilian journal of physics, Brasil, 1997 Vol. 27A Núm. 4 Dic, Pág. 101-104]

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