Revista: | Superficies y vacío |
Base de datos: | PERIÓDICA |
Número de sistema: | 000404818 |
ISSN: | 1665-3521 |
Autors: | Yu, Z1 Aceves, M1 Carrillo, J2 Flores, F2 |
Institucions: | 1Instituto Nacional de Astrofísica, Optica y Electrónica, Departamento de Electrónica, Tonantzintla, Puebla. México 2Benemérita Universidad Autónoma de Puebla, Centro de Investigación en Dispositivos Semiconductores, Puebla. México |
Any: | 2004 |
Període: | Sep |
Volum: | 17 |
Número: | 3 |
Paginació: | 9-11 |
País: | México |
Idioma: | Inglés |
Tipo de documento: | Artículo |
Enfoque: | Analítico |
Resumen en inglés | I-V characteristics of Al/SRO/Si MOS devices were measured. Novel I-V curves, with extraordinary current peaks in both positive and negative bias, were observed. These current peaks are ascribed to the charging or discharging of the Si nanoclusters near the SRO/Si interface |
Disciplines | Física y astronomía, Ingeniería |
Paraules clau: | Física de materia condensada, Ingeniería de materiales, Ingeniería electrónica, Silicio, Estructuras MOS |
Keyword: | Physics and astronomy, Engineering, Condensed matter physics, Electronic engineering, Materials engineering, Silicon, MOS structures |
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