| Revista: | Superficies y vacío |
| Base de datos: | PERIÓDICA |
| Número de sistema: | 000404818 |
| ISSN: | 1665-3521 |
| Autores: | Yu, Z1 Aceves, M1 Carrillo, J2 Flores, F2 |
| Instituciones: | 1Instituto Nacional de Astrofísica, Optica y Electrónica, Departamento de Electrónica, Tonantzintla, Puebla. México 2Benemérita Universidad Autónoma de Puebla, Centro de Investigación en Dispositivos Semiconductores, Puebla. México |
| Año: | 2004 |
| Periodo: | Sep |
| Volumen: | 17 |
| Número: | 3 |
| Paginación: | 9-11 |
| País: | México |
| Idioma: | Inglés |
| Tipo de documento: | Artículo |
| Enfoque: | Analítico |
| Resumen en inglés | I-V characteristics of Al/SRO/Si MOS devices were measured. Novel I-V curves, with extraordinary current peaks in both positive and negative bias, were observed. These current peaks are ascribed to the charging or discharging of the Si nanoclusters near the SRO/Si interface |
| Disciplinas: | Física y astronomía, Ingeniería |
| Palabras clave: | Física de materia condensada, Ingeniería de materiales, Ingeniería electrónica, Silicio, Estructuras MOS |
| Keyword: | Physics and astronomy, Engineering, Condensed matter physics, Electronic engineering, Materials engineering, Silicon, MOS structures |
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