| Revista: | Superficies y vacío |
| Base de datos: | PERIÓDICA |
| Número de sistema: | 000404892 |
| ISSN: | 1665-3521 |
| Autors: | Morales Acevedo, Arturo1 Pérez Sánchez, G. Francisco1 |
| Institucions: | 1Instituto Politécnico Nacional, Centro de Investigación y de Estudios Avanzados, México, Distrito Federal. México |
| Any: | 2003 |
| Període: | Jun |
| Volum: | 16 |
| Número: | 2 |
| Paginació: | 16-18 |
| País: | México |
| Idioma: | Español |
| Tipo de documento: | Artículo |
| Enfoque: | Analítico |
| Resumen en español | Se depositaron películas de óxido de silicio (SiOx:N) sobre silicio en un horno convencional en ambiente de óxido nitroso (N2O) a temperaturas entre 900 y 1100° C. Para cada temperatura se varió la presión entre 1 y 3 atmósferas. Por medio de FT-IR se muestra que la composición de estas capas es aproximadamente la del dióxido de silicio (SiO2) acercándose más a la de este material entre mayores sean la presión y la temperatura de crecimiento de las películas. Esto confirma que la concentración del nitrógeno incorporado en las capas es pequeña y localizada en una región muy estrecha dentro de las mismas |
| Resumen en inglés | Silicon oxide films (SiOx:N) were deposited on silicon in a conventional furnace using nitrous oxide (N2O) as the oxidizing atmosphere at temperatures between 900 and 1100° C. For each temperature the pressure was varied between 1 and 3 atmospheres. By means of FT-IR we have shown that the stoichiometry of these layers is approximately that of silicon dioxide (SiO2), approaching more to this material the higher the growth temperature and pressure are. This confirms that the concentration of the nitrogen incorporated into the layers is small and located in a very narrow region within the films |
| Disciplines | Física y astronomía, Ingeniería |
| Paraules clau: | Física de materia condensada, Ingeniería de materiales, Películas delgadas, Oxido de silicio, Oxido nitroso, Espectroscopía |
| Keyword: | Physics and astronomy, Engineering, Condensed matter physics, Materials engineering, Thin films, Silicon oxide, Nitrous oxide, Spectroscopy |
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