The effect of extrinsic contamination on ion implantation gettering
Título del documento: The effect of extrinsic contamination on ion implantation gettering
Revista: Revista mexicana de física
Base de datos: PERIÓDICA
Número de sistema: 000017410
ISSN: 0035-001X
Autors: 1
Institucions: 1Instituto Nacional de Astrofísica, Optica y Electrónica, Tonantzintla, Puebla. México
Any:
Període: Dic
Volum: 41
Número: 6
Paginació: 897-904
País: México
Idioma: Inglés
Tipo de documento: Artículo
Enfoque: Analítico
Disciplines Física y astronomía
Paraules clau: Física de materia condensada,
Semiconductores,
Implantación de iones,
Recombinacion-portadores
Keyword: Physics and astronomy,
Condensed matter physics,
Semiconductors,
Ion implantation,
Carrier recombination,
Extrinsic contamination
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