Silicon oxidation and oxynitridation in the ultrathin regime: ion scattering studies
Título del documento: Silicon oxidation and oxynitridation in the ultrathin regime: ion scattering studies
Revista: Brazilian journal of physics
Base de datos: PERIÓDICA
Número de sistema: 000132012
ISSN: 0103-9733
Autors: 1
Institucions: 1Rutgers University, Dept. Chemistry Physics, Piscataway, New Jersey. Estados Unidos de América
Any:
Període: Jun
Volum: 27
Número: 2
Paginació: 302-313
País: Brasil
Idioma: Inglés
Tipo de documento: Artículo
Enfoque: Analítico
Disciplines Química,
Física y astronomía
Paraules clau: Fisicoquímica y química teórica,
Física de materia condensada,
Películas delgadas,
Silicio,
Oxidación,
Dieléctricos,
Interfaces,
Iones
Keyword: Chemistry,
Physics and astronomy,
Physical and theoretical chemistry,
Condensed matter physics,
Thin films,
Silicon,
Oxidation,
Dielectrics,
Interface,
Ions
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