Silicon heavily doped mbe grown al 0.3 ga 0.7 as samples
Título del documento: Silicon heavily doped mbe grown al 0.3 ga 0.7 as samples
Revista: Brazilian journal of physics
Base de datos: PERIÓDICA
Número de sistema: 000007959
ISSN: 0103-9733
Autors: 1
Institucions: 1Universidade Federal de Minas Gerais, Departamento de Física, Belo Horizonte, Minas Gerais. Brasil
Any:
Període: Mar
Volum: 24
Número: 1
Paginació: 363-369
País: Brasil
Idioma: Inglés
Tipo de documento: Artículo
Enfoque: Analítico
Disciplines Física y astronomía
Paraules clau: Física de materia condensada,
Silicio,
Aluminio,
Defectos,
Movilidad,
Foto-hall-mediciones,
Propiedades eléctricas
Keyword: Physics and astronomy,
Condensed matter physics,
Defects,
Silicon,
Aluminum,
Mobility,
Electrical properties,
Photo-hall measurements
Solicitud del documento
Nota: El envío del documento tiene costo.









Los documentos originales pueden ser consultados en el Departamento de Información y Servicios Documentales, ubicado en el Anexo de la Dirección General de Bibliotecas (DGB), circuito de la Investigación Científica a un costado del Auditorio Nabor Carrillo, zona de Institutos entre Física y Astronomía. Ciudad Universitaria UNAM. Ver mapa
Mayores informes: Departamento de Información y Servicios Documentales, Tels. (5255) 5622-3960, 5622-3964, e-mail: sinfo@dgb.unam.mx, Horario: Lunes a viernes (8 a 16 hrs.)