Semiconductor Nanocrystals of InP@ZnS: Synthesis and Characterization



Título del documento: Semiconductor Nanocrystals of InP@ZnS: Synthesis and Characterization
Revista: Superficies y vacío
Base de datos: PERIÓDICA
Número de sistema: 000355830
ISSN: 1665-3521
Autores: 1
2
3
4
4
5
Instituciones: 1Instituto Politécnico Nacional, Centro de Investigación en Ciencia Aplicada y Tecnología Avanzada, México, Distrito Federal. México
2Instituto Politécnico Nacional, Centro de Investigación en Biotecnología Aplicada, San Juan Molino, Tlaxcala. México
3Benemérita Universidad Autónoma de Puebla, Facultad de Ingeniería, Puebla. México
4Instituto Politécnico Nacional, Unidad Profesional Interdisciplinaria en Ingeniería y Tecnologías Avanzadas, México, Distrito Federal. México
5Instituto Politécnico Nacional, Centro de Investigación y de Estudios Avanzados, México, Distrito Federal. México
Año:
Periodo: Jun
Volumen: 25
Número: 2
País: México
Idioma: Inglés
Tipo de documento: Artículo
Enfoque: Experimental, aplicado
Resumen en inglés Colloidal dispersions of InP@ZnS nanoparticles were prepared using a single-step heating-up method relying at low temperature. The obtained particles are highly crystalline, monodisperse and exhibit size-dependent radiative emission in the range of 329−480 nm. By simply varying the concentration of the molecular precursor, the particles size can be controlled in the range from about 1.1 to 4.5 nm. The formation of InP nanocrystals has been confirmed using the techniques TEM, HRTEM, PL and UV-Vis spectroscopy
Disciplinas: Ingeniería
Palabras clave: Ingeniería de materiales,
Nanocristales,
Semiconductores,
Síntesis química,
Propiedades ópticas
Keyword: Engineering,
Materials engineering,
Nanocrystals,
Semiconductors,
Chemical synthesis,
Optical properties
Texto completo: Texto completo (Ver HTML)