| Revista: | Superficies y vacío |
| Base de datos: | PERIÓDICA |
| Número de sistema: | 000395123 |
| ISSN: | 1665-3521 |
| Autores: | Calixto Rodríguez, M1 Sánchez Juárez, A1 |
| Instituciones: | 1Universidad Nacional Autónoma de México, Centro de Investigación en Energía, Temixco, Morelos. México |
| Año: | 2007 |
| Periodo: | Mar |
| Volumen: | 20 |
| Número: | 1 |
| Paginación: | 34-38 |
| País: | México |
| Idioma: | Español |
| Tipo de documento: | Artículo |
| Enfoque: | Analítico |
| Resumen en español | En este trabajo se presentan los resultados obtenidos de la preparación y caracterización de películas delgadas de disulfuro de estaño (SnS2) obtenidas mediante la técnica de rocío pirolítico. Para disolver los compuestos precursores (SnCl2 y N,N dimetil tiourea, empleados como fuentes de iones de estaño y azúfre, respectivamente) se usó una mezcla de alcohol, agua y ácido clorhídrico. La temperatura de substrato, Ts, se varió de 340 a 380°C en pasos de 20°C. De los análisis de difracción de rayos-X se encontró que el material depositado a Ts > 340°C posee estructura hexagonal, y está orientado en la dirección cristalográfica [001]. Con los datos obtenidos de la caracterización óptica se calculó la brecha de energía, Eg, de las películas depositadas, el valor de Eg se encuentra en el intervalo de 1.99 a 2.38 eV, con transiciones ópticas indirectas permitidas. De la caracterización eléctrica se encontró que el valor de la conductividad en obscuridad, σD, está entre 10-5 y 10-7 (Ω cm)-1 . Las películas depositadas a Ts = 360°C son las que poseen las mejores características estructurales y ópticas para su aplicación en estructuras fotovoltaicas |
| Resumen en inglés | In this work we present the results from the preparation and characterization of tin disulfide (SnS2) thin films obtained by the spray pyrolysis technique. We used an alcohol, water, and hydrochloric acid mixture for the dissolution of the precursor compounds: SnCl2 and N,N-dymetil thiourea, employed as sources of Sn and S ions, respectively. The substrate temperature was varied from 340 to 380°C in 20°C steps. From the XRD analysis we found that the deposited material was polycrystalline for substrate temperatures bigger than 340°C, with an hexagonal structure and a high degree of orientation along the [001] direction. We calculate the optical bandgap, Eg, of the deposited thin films with the data obtained from the optical characterization, the values are in the range 1.99-2.38 eV for indirect allowed optical transitions. The values of the electrical conductivity measured in the dark, σD, are in the range 10-5—10-7 (Ω cm)-1. Films deposited at Ts = 360°C have the best structural and optical characteristics to be used in photovoltaic structures |
| Disciplinas: | Física y astronomía |
| Palabras clave: | Física, Optica, Estado sólido, Películas delgadas, Rocío pirolítico, Crecimiento de cristales, Semiconductores |
| Keyword: | Physics and astronomy, Optics, Physics, Solid state, Thin films, Spray pyrolysis, Crystal growth, Semiconductors |
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