| Revista: | Superficies y vacío |
| Base de datos: | PERIÓDICA |
| Número de sistema: | 000404706 |
| ISSN: | 1665-3521 |
| Autores: | Luna López, J.A1 Carrillo López, J1 Aceves Mijares, M2 |
| Instituciones: | 1Benemérita Universidad Autónoma de Puebla, Instituto de Ciencias, Puebla. México 2Instituto Nacional de Astrofísica, Optica y Electrónica, Puebla. México |
| Año: | 2002 |
| Periodo: | Dic |
| Volumen: | 15 |
| Paginación: | 45-49 |
| País: | México |
| Idioma: | Español |
| Tipo de documento: | Artículo |
| Enfoque: | Analítico |
| Resumen en español | Dispositivos de Aluminio/Óxido de silicio rico en Silicio/Silicio (Al/SRO/Si) se caracterizaron experimentalmente midiendo sus características I-V y C-V. Se utilizaron varios valores de R0 (R0 = [N2O]/[SiH4]), que es la razón de flujos de óxido nitroso y silano. Dependiendo del exceso de silicio, el dispositivo se comporta de acumulación a inversión como un capacitor MOS en deserción profunda o como una unión inducida PN en polarización inversa. El modelado se realizó suponiendo que la región de carga especial (W) varía como la de una unión PN polarizada inversamente y como un capacitor MOS en deserción profunda. La aproximación como una unión PN da una mejor aproximación entre los resultados experimentales y las curvas teóricas. Este dispositivo puede ser usado también como una herramienta analítica. Aquí se estiman parámetros característicos, como el tiempo de vida de generación de portadores minoritarios |
| Resumen en inglés | Aluminum/silicon rich oxide/Silicon (Al/SRO/Si) devices were characterized experimentally using I-V and C-V measurements. Various R0 (R0 = [N2O]/[SiH4]) values of the nitrous oxide/silane gas flow ratio were used. The objective was to study the double behavior of the structure: as a MOS capacitor and as an induced PN junction. Depending on the silicon excess its behavior in the surface inversion regimen varies. This behavior is modeled by using the depletion approximation in a PN, and the deep depletion in a MOS capacitor. A better fitting of the experimental data is obtained with the PN junction approximation. The internal voltage concept on the PN junction is interpreted in function of the C-V curves of the Al/SRO/Si structure. Both C-V and I-V are considered simultaneously to understand the physics involved in the device, and to obtain characteristic parameters as the generation lifetime |
| Disciplinas: | Física y astronomía, Ingeniería |
| Palabras clave: | Física de materia condensada, Ingeniería de materiales, Semiconductores, Aluminio, Silicio, Transporte electrónico |
| Keyword: | Physics and astronomy, Engineering, Condensed matter physics, Materials engineering, Semiconductors, Aluminum, Silicon, Electronic transport |
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