Investigación por simulación molecular de las propiedades electrónicas del plataloceno



Título del documento: Investigación por simulación molecular de las propiedades electrónicas del plataloceno
Revista: Superficies y vacío
Base de datos: PERIÓDICA
Número de sistema: 000373787
ISSN: 1665-3521
Autores: 1
1
Instituciones: 1Benemérita Universidad Autónoma de Puebla, Facultad de Ingeniería Química, Puebla. México
Año:
Periodo: Sep
Volumen: 22
Número: 3
Paginación: 11-14
País: México
Idioma: Español
Tipo de documento: Artículo
Enfoque: Experimental, aplicado
Resumen en español Se investigan las propiedades electrónicas del plataloceno [Ag(C5H5)2] en la configuración lineal: eclipsada (simetría D5h) y alternada (simetría D5d) y la no lineal C2vhh. Todo esto se investiga a través de la Teoría del Funcional de la Densidad (o DFT). Se usa el criterio de obtener frecuencias de vibración positivas como parámetro de estabilidad estructural. Además se obtienen sus parámetros de reactividad química, densidad de estados molecular y espectro infrarrojo (IR). La estructura metaestable según los resultados es la C2v con carga cationica y comportamiento de semiconductor
Resumen en inglés We investigated the electronic properties of metallocene containing Ag in the eclipsed (symmetry D5h), sttagged (symmetry D5d) and C2vhh configurations. All this is being investigated by the Density Functional Theory (or DFT). There is used the criterion for obtaining positive frequencies of vibration as parameter of structural stability. In addition there are obtained the parameters of chemical reactivity, molecular density of states (DOS) and infrared theoretical spectrum (IR). The metastable structure according to the results is the C2v with charge cationic and behavior of semiconductor
Disciplinas: Ingeniería
Palabras clave: Ingeniería de materiales,
Ingeniería electrónica,
Metalocenos,
Propiedades electrónicas,
Simulación molecular,
Semiconductores
Keyword: Engineering,
Electronic engineering,
Materials engineering,
Metallocenes,
Electronic properties,
Molecular simulation,
Semiconductors
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