Estudio del mecanismo de transporte en películas de silicio poroso



Título del documento: Estudio del mecanismo de transporte en películas de silicio poroso
Revista: Superficies y vacío
Base de datos: PERIÓDICA
Número de sistema: 000342010
ISSN: 1665-3521
Autores: 1
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Instituciones: 1Instituto Politécnico Nacional, Centro de Investigación y de Estudios Avanzados, México, Distrito Federal. México
Año:
Periodo: Mar
Volumen: 24
Número: 1
Paginación: 5-8
País: México
Idioma: Español
Tipo de documento: Artículo
Enfoque: Experimental, aplicado
Resumen en español Se identificaron los mecanismos de transporte en películas-de-silicio-poroso (PSiP) por mediciones de Corriente-Voltaje. Las PSiP se hicieron por anodización de obleas de silicio cristalino tipo p, con orientación (100) y resistividad de 1-5 Ωcm. La resistividad eléctrica medida en las PSiP fue de 4.48 x 109 Ω-cm. El transporte de carga en la PSiP está limitado por regiones de carga espacial (SCL), debido a la carga atrapada en los diversos estados de defecto. Se encontró que de acuerdo al modo de polarización y a la magnitud del potencial aplicado a la estructura planar, se induce la participación de centros de defecto profundos ocasionando que la densidad de trampas Nt, cambie
Resumen en inglés The transport mechanisms in Porous Silicon Layer (PSL) were identified by Current-Voltage (I-V) measurements. The PSL was made by anodic etching of p-type crystalline (100) Si wafers and resistivity of 1-5 Ω-cm. The electrical resistivity measured of the PSL was of 4.48 x 109 Ω-cm. The carrier transport in the PSL is space charge limited (SCL) due to the trapped charge in the different defect states. Furthermore, it was found that in accordance with the bias mode and the magnitude of the applied bias to the structure, the change in the charge state of the deep defect centers cause changes in the trap density, Nt
Disciplinas: Ingeniería
Palabras clave: Ingeniería de materiales,
Electroluminiscencia,
Películas,
Silicio poroso,
Mecanismos de transporte,
Características eléctricas
Keyword: Engineering,
Materials engineering,
Electroluminescence,
Films,
Porous silicon,
Transport mechanisms,
Electric characteristics
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