Revista: | Superficies y vacío |
Base de datos: | PERIÓDICA |
Número de sistema: | 000404702 |
ISSN: | 1665-3521 |
Autores: | Morales Sánchez, E1 Prokhorov, E.F2 González Hernández, J2 Mendoza Galván, A2 |
Instituciones: | 1Universidad Autónoma de Querétaro, Facultad de Ingeniería, Querétaro. México 2Instituto Politécnico Nacional, Centro de Investigación y de Estudios Avanzados, Juriquilla, Querétaro. México |
Año: | 2002 |
Periodo: | Dic |
Volumen: | 15 |
Paginación: | 26-29 |
País: | México |
Idioma: | Español |
Tipo de documento: | Artículo |
Enfoque: | Analítico |
Resumen en español | Al comparar los parámetros eléctricos de películas delgadas de GeSbTe obtenidos por 3 métodos diferentes (impedancia, DC, resistividad 4 puntas) se encontró que las mediciones de impedancia son las mas apropiadas porque permite separar la contribución del bulto y del contacto. Se determinó la dependencia de la conductividad con respecto a la temperatura por medio de mediciones de impedancia y por mediciones DC. La resistividad fue obtenida para diferentes composiciones mostrando una dependencia con respecto a la rugosidad |
Resumen en inglés | The comparison of the electrical parameters in amorphous GeSbTe thin films obtained using three different methods (electrical impedance, DC and four point probe resistivity measurements), has shown that impedance measurements is the most appropriate because it is able to separate the contribution of the bulk and contacts. We determined the dependence of the conductivity with temperature from impedance and DC measurements. Resistivity was obtained at different composition and thickness showing dependence in roughness |
Disciplinas: | Física y astronomía, Ingeniería |
Palabras clave: | Física de materia condensada, Ingeniería de materiales, Ingeniería eléctrica, Películas delgadas, Impedancia, Semiconductores, Germanio, Antimonio, Telurio, Conductividad |
Keyword: | Physics and astronomy, Engineering, Condensed matter physics, Electrical engineering, Materials engineering, Thin films, Impedance, Semiconductors, Germanium, Antimony, Tellurium, Conductivity |
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