| Revista: | Superficies y vacío |
| Base de datos: | PERIÓDICA |
| Número de sistema: | 000378122 |
| ISSN: | 1665-3521 |
| Autores: | Castillo Ojeda, R1 Galván Arellano, M2 Díaz Reyes, J3 |
| Instituciones: | 1Universidad Politécnica de Pachuca, Zempoala, Hidalgo. México 2Instituto Politécnico Nacional, Centro de Investigación y de Estudios Avanzados, México, Distrito Federal. México 3Instituto Politécnico Nacional, Centro de Investigación en Biotecnología Aplicada, Tepetitla, Tlaxcala. México |
| Año: | 2013 |
| Periodo: | Dic |
| Volumen: | 26 |
| Número: | 4 |
| Paginación: | 120-125 |
| País: | México |
| Idioma: | Español |
| Tipo de documento: | Artículo |
| Enfoque: | Experimental, aplicado |
| Resumen en español | En este trabajo se discute la utilización de un sistema de deposición de capas epitaxiales semiconductoras del tipo MOCVD (Metal Organic Chemical Vapor Deposition), distinto a los convencionales que utilizan arsina como precursor del arsénico. En el sistema de crecimiento utilizado se ha sustituido la arsina por arsénico elemental, el cual es fácilmente manejable, sin los peligros que presenta la manipulación de cilindros de alta presión de arsina. Como consecuencia de la sustitución de la arsina por arsénico sólido, la cinética de incorporación de las especies sobre la superficie de crecimiento es severamente modificada, de tal forma, que la incorporación de impurezas tales como carbono y oxígeno se incrementa, deteriorando de esta manera las propiedades físicas de los materiales crecidos. En este trabajo hacemos un estudio sobre los efectos del uso del arsénico como precursor, a la vez que presentamos los resultados obtenidos durante la elaboración de una estructura cuántica mediante este sistema no convencional. Para la evaluación de las características ópticas de las muestras se midió fotoluminiscencia a baja temperatura, la existencia del pozo cuántico está apoyada por mediciones del perfil de concentración mediante espectroscopia de masas de iones secundarios (SIMS), y por último, se presentan imágenes de microscopía de fuerza atómica (AFM) para el estudio de la rugosidad superficial |
| Resumen en inglés | In this work is discussed the use of a deposition system of semiconductor epitaxial layers of the MOCVD type (Metal Organic Chemical Vapour Deposition), different of the conventional ones that use arsine as arsenic precursor. In the growth system has replaced the arsine by elemental arsenic, which is more easily manageable without the hazards presented by the handling of high pressure cylinders of arsine. As a result of the substitution of the arsine by solid arsenic, the incorporation kinetic of the species on the growth surface is severely modified, of such way, that the impurities incorporation of such as carbon and oxygen is increased, deteriorating of this way the physical properties of the grown materials. In this work we make a study on the effects of the use of arsenic like precursor, at the same time as we presented the results obtained during the elaboration of a quantum structure by means of this nonconventional system. In order to evaluate the optical characteristics of the samples, it was measured low temperature photoluminescence, the existence of the quantum well is supported by depth profile measurements by secondary ion mass spectroscopy (SIMS), and finally atomic force microscopy (AFM) images are presented to evaluate the surface roughness |
| Disciplinas: | Ingeniería, Química |
| Palabras clave: | Ingeniería de materiales, Ingeniería química, Semiconductores, Deposición química de vapor, Arsénico, Pozos cuánticos |
| Keyword: | Engineering, Chemistry, Chemical engineering, Materials engineering, Semiconductors, Chemical vapor deposition, Arsenic, Quantum wells |
| Texto completo: | Texto completo (Ver HTML) |
