| Revista: | Revista mexicana de física |
| Base de datos: | PERIÓDICA |
| Número de sistema: | 000333495 |
| ISSN: | 0035-001X |
| Autores: | Pérez Merchancano, S.T1 Bolívar Marinez, L.E1 Silva Valencia, J2 |
| Instituciones: | 1Universidad del Cauca, Departamento de Física, Popayán, Cauca. Colombia 2Universidad Nacional de Colombia, Departamento de Física, Bogotá. Colombia |
| Año: | 2007 |
| Periodo: | Dic |
| Volumen: | 53 |
| Número: | 6 |
| Paginación: | 470-474 |
| País: | México |
| Idioma: | Inglés |
| Tipo de documento: | Artículo |
| Enfoque: | Experimental, aplicado |
| Resumen en español | Nosotros presentamos cálculos de la energía de enlace de impurezas hidrogenoides centradas y por fuera del centro en puntos cuánticos de GaAs bajo presión hidrostática. En este cálculo nosotros usamos el método variacional dentro de la aproximación de la masa efectiva. Se encontro que el efecto de la presión es ejercer un confinamiento adicional sobre la impureza dentro del punto cuántico, por lo tanto la energía de enlace aumenta para cualquier valor del radio del punto, sin importar la posición de la impureza. También encontramos que la energía de enlace depende de la posición de la impureza dentro del punto y que los efectos de la presión son menos pronunciados cuando la impureza esta en el borde del punto |
| Resumen en inglés | Calculations of the binding energy of an on–center and off–center shallow hydrogenic impurity in a GaAs quantum dot under hydrostatic pressure are presented. The variational approach within the effective mass approximation is used as the framework for this calculation. The effect of the pressure is to exert an additional confinement on the impurity inside the dot; therefore the binding energy increases for any dot radius and impurity position. We also found that the binding energy depends on the location of the impurity and the pressure effects are less pronounced for impurities on the edge |
| Disciplinas: | Ingeniería |
| Palabras clave: | Ingeniería electrónica, Semiconductores, Impurezas, Puntos cuánticos, Presión hidrostática |
| Keyword: | Engineering, Electronic engineering, Semiconductors, Impurities, Quantum dots, Hydrostatic pressure |
| Texto completo: | Texto completo (Ver HTML) |
