Influence of baking on the photoluminescence spectra of Ini1-xGaxAsyPi1-y solid solutions grown on Inp substrates



Título del documento: Influence of baking on the photoluminescence spectra of Ini1-xGaxAsyPi1-y solid solutions grown on Inp substrates
Revista: Revista mexicana de física
Base de datos: PERIÓDICA
Número de sistema: 000417285
ISSN: 0035-001X
Autores: 1
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Instituciones: 1Universidad Autónoma de San Luis Potosí, Instituto de Investigación en Comunicación Óptica, San Luis Potosí. México
Año:
Periodo: Jun
Volumen: 50
Número: 3
Paginación: 216-220
País: México
Idioma: Inglés
Tipo de documento: Artículo
Enfoque: Analítico, teórico
Resumen en español Se ha estudiado la influencia de diferentes tratamientos térmicos sobre los espectros de fotoluminiscencia de capas epitaxiales de In1-xGaxAsyP1-y con diferentes composiciones, crecidas sobre sustratos de InP, mediante la técnica de epitaxia en fase líquida. El espectro de fotoluminiscencia de soluciones sólidas de composición cercana al InP o InGaAs no cambió después del recocido. Para composiciones cercanas al centro de la región en que la constante reticular de las capas es igual a la del InP, el cambio fue muy notorio debido a la aparición de un pico adicional en el espectro de fotoluminiscencia. Esto podría relacionarse con la descomposición de aquellas soluciones sólidas cuya composición esta dentro de una brecha de miscibilidad predicha teóricamente. Para evitar la degradación de las capas epitaxiales, causada por la evaporación de fósforo durante el recocido, su superficie se recubrió con capas de SiO2 depositado de una emulsión
Resumen en inglés The influence of thermal treatments on the photoluminescence spectra of In1-xGaxAsy P1-y epitaxial layers of various compositions grown by LPE on InP substrates has been studied. To prevent the epitaxial layers from degradation, due to phosphor evaporation during the baking, their surface was covered by spin-on SiO2 layers. The photoluminescence spectra did not change for solid solutions whose compositions were near InP and InGaAs. For compositions in the middle of the lattice-matched region, the variations were very noticeable because the appearance of additional peaks in the luminescence spectra. This could be related to the decomposition of those solid solutions whose compositions lie inside a theoretically predicted miscibility gap
Disciplinas: Administración y contaduría,
Física y astronomía
Palabras clave: Física de materia condensada,
Fisicoquímica y química teórica,
InGaAsP,
Soluciones sólidas,
Brecha de miscibilidad,
Descomposición,
Fotoluminiscencia
Keyword: Condensed matter physics,
Physical and theoretical chemistry,
InGaAsP,
Solid solutions,
Miscibility gap,
Decomposition,
Photoluminescence
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