Foto-transceptor para sistemas RoF y RoFSO usando un mezclador optoelectrónico basado en PHEMT



Título del documento: Foto-transceptor para sistemas RoF y RoFSO usando un mezclador optoelectrónico basado en PHEMT
Revista: Revista mexicana de física
Base de datos: PERIÓDICA
Número de sistema: 000361049
ISSN: 0035-001X
Autores: 1
1
1
2
Instituciones: 1Centro de Investigación Científica y de Educación Superior de Ensenada, Ensenada, Baja California. México
2Universidad Autónoma de Baja California, Ensenada, Baja California. México
Año:
Periodo: Ago
Volumen: 58
Número: 4
Paginación: 339-347
País: México
Idioma: Español
Tipo de documento: Artículo
Enfoque: Analítico, teórico
Resumen en español Se describe la aplicación de mezcladores optoelectrónicos auto-oscilantes basados en el uso de transistores pseudomórficos de alta movilidad electrónica (PHEMT's) en sistemas de radio-sobre-fibra óptica (RoF) y radio sobre espacio libre óptico (RoFSO). En particular, reportamos el desarrollo de etapas de fotorrecepción (conversión de bajada) y conversión de subida para dichos sistemas a dos diferentes longitudes de onda: a 1550 nm empleando un mezclador basado en un PHEMT en tecnología de InP como dispositivo activo para detección y otro con un PHEMT en tecnología de GaAs a 850 nm. Se reportan los resultados de la caracterización electro-óptica del transistor tanto en oscuridad como para diferentes niveles de iluminación. Se muestran también resultados obtenidos en una aplicación típica de GSM sobre fibra óptica
Resumen en inglés This paper deals with the application of self-oscillating optoelectronic mixers based on the use of a pseudomorphic high electron mobility transistor (PHEMT's) in radio over optical fiber (RoF) and radio over free space optics (RoFSO) systems. We describe the development of photoreception stages (down conversion) and up-conversion stages for such systems for two different wavelengths: 1550 nm using a mixer based on a PHEMT on InP substrate as active device for detection and another one with a PHEMT on GaAs substrate at 850 nm. We report the characterization results both for not illumination and illumination conditions. We also describe the results obtained on a typical application of GSM over optical fibers
Disciplinas: Física y astronomía
Palabras clave: Física,
Transistores pseudomórficos,
Alta movilidad eletrónica,
Fotorrecepción,
GSM,
Fibra óptica,
Mezclador optoelectrónico
Keyword: Physics and astronomy,
Physics,
Pseudomorphic transistors,
High electron mobility,
Photoreception,
GSM,
Optic fiber,
Optoelectronic mixers
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