Estudio de la alta correlación electrónica en el ZnO:Eu



Título del documento: Estudio de la alta correlación electrónica en el ZnO:Eu
Revista: Revista mexicana de física
Base de datos: PERIÓDICA
Número de sistema: 000345973
ISSN: 0035-001X
Autores: 1
1
2
2
Instituciones: 1Universidad Nacional Autónoma de México, Instituto de Física, México, Distrito Federal. México
2Benemérita Universidad Autónoma de Puebla, Instituto de Física, Puebla. México
Año:
Periodo: Ago
Volumen: 57
Número: 4
Paginación: 338-343
País: México
Idioma: Español
Tipo de documento: Artículo
Enfoque: Experimental, analítico
Resumen en español Un material dopado se puede obtener al sustiuir uno de sus átomos por una impureza. En este trabajo se proponen cuatro modelos estructurales que simulan el material ZnO dopado con Eu y se analiza la influencia de la correlación electrónica mediante la densidad de estados (DOS) del sistema. En particular, las impurezas de lantánidos presentan propiedades ópticas y electrónicas peculiares debidas a los electrones en la capa 4f, los cuales generan una resonancia tipo Kondo en el nivel de Fermi
Resumen en inglés A doped material can be obtained by substitution of one of its atoms with an impurity. In this work we propose four structural models which simulate a ZnO system doped with Eu and study the influence of the electron correlation in the system with the density of states (DOS). In particular, we observe that the lanthanide impurities exhibit peculiar optical and electronic properties due to the 4f subshell, which produce a Kondo–like resonance at the Fermi level
Disciplinas: Física y astronomía
Palabras clave: Física de materia condensada,
Lantánidos,
Dopaje,
Resonancia de Kondo,
Correlación electrónica
Keyword: Physics and astronomy,
Condensed matter physics,
Lantanids,
Doping,
Kondo resonance,
Electronic correlation
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