| Revista: | Nova scientia |
| Base de datos: | PERIÓDICA |
| Número de sistema: | 000390463 |
| ISSN: | 2007-0705 |
| Autores: | Diago Cisneros, L1 Arias Laso, S2 |
| Instituciones: | 1Universidad de La Habana, Facultad de Física, La Habana. Cuba 2Instituto Superior Politécnico "José Antonio Echeverría", Facultad de Ingeniería Eléctrica, La Habana. Cuba |
| Año: | 2013 |
| Periodo: | Oct |
| Volumen: | 5 |
| Número: | 10 |
| Paginación: | 1-16 |
| País: | México |
| Idioma: | Inglés |
| Tipo de documento: | Artículo |
| Enfoque: | Aplicado, descriptivo |
| Resumen en español | Se desarrolla un estudio teórico de la propagación de flujos de huecos (pesados/ligeros) a través de una heteroestructura de barrera simple de materiales semiconductores III-V, considerando una perturbación externa. En los cálculos, usando la Aproximación Dispersiva Multicomponente, se incluyó la interacción con un campo eléctrico externo paralelo a la dirección de propagación -perpendicular a las intercaras - y se estudiaron las magnitudes relevantes del transporte cuántico de huecos - transmisión, conductancia y tiempo de fase. Este formalismo nos permitió considerar simultáneamente todos los canales propagantes. Para el sistema de la barrera simple, se estudió la dependencia de la conductancia con el campo aplicado a través de los diferentes canales de huecos. Igualmente, se analizó cómo el aumento del in-plane momentum κτ afecta los resultados, lo cual nos brinda una idea de cómo el acoplamiento entre bandas influencia la transmisión con un voltaje aplicado. Adicionalmente, fijando diferentes valores de la mezcla interbanda, se hizo un breve estudio del tiempo de transmisión de la fase como función del voltaje aplicado en la heteroestructura. Nuestros resultados fueron exitosamente comparados con algunos comportamientos obtenidos previamente en el tunelaje de huecos a través de heteroestructuras semiconductoras usando diferentes aproximaciones |
| Resumen en inglés | A theoretical analysis of the (heavy/light)-hole propagating fluxes through a simple barrier het erostructure of III-V semiconductors is developed considering an external perturbation. We include the interaction with an external electric field parallel to the direction of propagation -normal to the interfaces- in the Multicomponent Scattering Approach and study the relevant magnitudes -transmission, conductance and phase time- of hole quantum transport. This formalism allows us to deal with all propagating channels simultaneously. For the simple barrier system we study the dependence of the conductance with the applied bias through the different hole channels. We also analyze how the increasing of the in-plane momentum κτ affects the results, which provides an idea of how the band-coupling influences the transmission with applied bias. Additionally, a brief study of the phase transmission time curves is carried out as a function of the applied voltage in the heterostructure, fixing different values of the band mixing. Our results are successfully compared with some trends obtained previously in the hole tunneling through semiconductor heterostructures using different approaches to this applied here |
| Disciplinas: | Ingeniería |
| Palabras clave: | Ingeniería electrónica, Tunelaje de huecos, Dispersión, Aproximación dispersiva multicomponente |
| Keyword: | Engineering, Electronic engineering, Hole tuneling, Scattering, Multicomponent scattering approach |
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