Propiedades de transporte de una superred de grafeno tipo sinusoidal



Título del documento: Propiedades de transporte de una superred de grafeno tipo sinusoidal
Revista: Nova scientia
Base de datos: PERIÓDICA
Número de sistema: 000386995
ISSN: 2007-0705
Autores: 1
1
Instituciones: 1Universidad Autónoma de Zacatecas, Unidad Académica de Física, Zacatecas. México
Año:
Periodo: Oct
Volumen: 7
Número: 14
Paginación: 431-451
País: México
Idioma: Español
Tipo de documento: Artículo
Enfoque: Experimental, aplicado
Resumen en español En este trabajo usamos el método de la matriz de transferencia para estudiar el tunelamiento de los electrones de Dirac a través de superredes en grafeno. Consideramos una superred con potencial sinusoidal o polaridad invertida, para ello consideramos dos maneras de crearla, una por medio de sustratos mixtos junto con la aplicación de un campo perpendicular sobre el sustrato de Óxido de Silicio (SiO2), la otra por medio de potenciales alternados aplicados perpendicularmente sobre la sábana de grafeno. Calculamos las propiedades de transmisión, transporte y estructura electrónica, variando diferentes parámetros como ángulo de incidencia, anchos de pozos y barreras y diferente número de barreras. Se encontró (1) el importante papel que juega el efecto Klein en tales estructuras, (2) las propiedades de transmisión y transporte presentan cierta simetría respecto del origen de la energía, y (3) el carácter sinusoidal del sistema trae consigo una baja en el nivel de energía de las subbandas en el espectro de estados acotados, además las degenera y origina que la apertura-cierre de las minibandas sea en el mismo nivel de energía
Resumen en inglés We used the transfer-matrix method to study the tunneling of Dirac eletrons through graphene superlattices. We have considered two types of sinusoidal superlattices: (1) electrostatic-barrier structures created by application of electrostatic potentials and (2) susbtrate-barrier structures, obtained by alternating susbtrates that open and non-open a bandgap on graphene. We found the transmission, transport and electronic structure properties for different set of parameters such as well and barriers widths, energy and angle of incident as well as barriers number. We find: (1) the important role of Klein tunneling, (2) the transmission and transport properties have certain symmetry about the origin of the energy, and (3) the sinusoidal character of the system entails a decrease in the level of the subbands in the spectrum of bound states, and degenerates and causes the opening and closing of minibands in the same energy level
Disciplinas: Ingeniería
Palabras clave: Ingeniería electrónica,
Semiconductores,
Grafeno,
Superredes,
Matriz de transferencia,
Tunelamiento de electrones,
Estados acotados
Keyword: Engineering,
Electronic engineering,
Semiconductors,
Graphene,
Superlattices,
Transfer matrix,
Electron tunneling,
Bound states
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