| Revista: | Nova scientia |
| Base de datos: | PERIÓDICA |
| Número de sistema: | 000390470 |
| ISSN: | 2007-0705 |
| Autores: | Rodriguez Coppola, H1 Mora Ramos, M.E2 Gaggero Sager, L.M2 |
| Instituciones: | 1Universidad de La Habana, Facultad de Física, La Habana. Cuba 2Universidad Autónoma del Estado de Morelos, Facultad de Ciencias, Cuernavaca, Morelos. México |
| Año: | 2013 |
| Periodo: | Oct |
| Volumen: | 5 |
| Número: | 10 |
| Paginación: | 27-50 |
| País: | México |
| Idioma: | Español |
| Tipo de documento: | Artículo |
| Enfoque: | Aplicado, descriptivo |
| Resumen en español | Este artículo ofrece un esquema para el cálculo de la movilidad de electrones en una estructura de pozo delta dopado, a bajas temperaturas y para campos eléctricos aplicados no muy intensos. El análisis se hace para un sistema dopado tipo n, considerando una lámina de impurezas de silicio en una muestra de GaAs. Se tiene en cuanta explícitamente el carácter tridimensional de los estados electrónicos y de las magnitudes que se miden -en lugar de realizar aproximaciones en que se reduzcan las dimensiones del sistema-, lo que facilita la ejecución del cálculo. Se exponen los resultados de otros esquemas utilizados y se dan las fórmulas que se emplearán para comprobar y comparar nuestros cálculos con los reportados previamente. En la actualidad, se está en el proceso de implementación del cálculo numérico, del que se expone el algoritmo que se tiene en ejecución |
| Resumen en inglés | This paper offers a scheme for the calculation of the mobility of electrons in a delta doped QW considering the conditions of low temperature and low electric field intensity. The system considered is a quantum well for electrons in the conduction band made by a silicon impurity plane in a sample of GaAs. The 3D character of the electronic states and of the magnitudes considered is explicitly tacked into account instead of reducing the dimensionality of the system to make the calculations more easy. Other calculations are compared and the formulae obtained in our approximation are given. At this moment the numerical calculation is in progress and the algorithm to do it is presented |
| Disciplinas: | Física y astronomía |
| Palabras clave: | Física de partículas y campos cuánticos, Pozos cuánticos, Dopaje delta, Campo eléctrico, Nanoestructuras semiconductoras, Movilidad electrónica |
| Keyword: | Physics and astronomy, Particle physics and quantum fields, Quantum wells, Delta doping, Electric field, Semiconductor nanostructures, Electronic mobility |
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